用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构.docx
用低能电子衍射研究CU(001)表面吸附碲的表面原子结构近年来,低能电子衍射技术在表面科学研究中得到了广泛的应用。本文以CU(001)表面吸附碲的表面原子结构为研究对象,探讨了低能电子衍射技术在表面结构分析中的应用。1、低能电子衍射技术简介低能电子衍射(Low-energyelectrondiffraction,LEED)技术是一种表面结构研究的重要手段之一。它通过束流垂直入射到表面上的电子,来研究表面晶体结构的有序程度以及表面原子的位置、排列方式等表面结构信息。在低能电子衍射实验中,晶体表面处于真空环境
用低能电子衍射研究ⅢA—ⅤA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表面结构.docx
用低能电子衍射研究ⅢA—ⅤA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表面结构摘要:本文采用低能电子衍射技术对ⅢA—ⅤA化合物的{110}表面上吸附的Sb和Bi进行结构表征。实验结果表明,Sb和Bi在{110}表面上的吸附会影响表面原子的晶胞常数和表面结构,且会形成不同的吸附结构。针对实验结果,本文分别从表面原子晶格常数变化和表面结构的角度进行分析和讨论,并对实验结果进行了总结和归纳。关键词:低能电子衍射,ⅢA—ⅤA化合物,{110}表面,Sb,Bi引言:III-V族化合物由ⅢA族元素和ⅤA族元素组成,具有优异
Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究.docx
Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究Si(113)是一种非常重要的半导体材料,具有广泛的应用,例如用于电子设备、光电子学和太阳能电池等方面。低能电子衍射技术是研究Si(113)表面结构的一种重要手段,本文将介绍关于Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究。低能电子衍射技术是一种非常有用的表面分析技术,可以研究表面结构及其反应动力学等方面的信息。该方法基于电子的波粒二象性以及材料表面原子间距的典型尺寸与电子波长之间的相互作用。在低能电子荧光(LEED)和低能电子衍射(LEED)中,电子束穿过晶体
碲镉汞表面处理工艺研究.docx
碲镉汞表面处理工艺研究碲镉汞(CdHgTe)是一种重要的半导体材料,具有广泛的应用前景,作为红外光电探测器、太赫兹波源和探测器的关键材料。然而,CdHgTe材料的表面处理工艺对其性能以及应用效果具有重要影响。本文将以碲镉汞表面处理工艺研究为题,探讨CdHgTe材料的表面处理工艺及其对材料性能的影响。一、碲镉汞材料简介碲镉汞是一种半导体化合物,具有调节带隙的特性,能够调控其在红外光谱范围内的响应。CdHgTe材料的晶格常数与硅基材料相似,具有优良的兼容性。此外,CdHgTe材料具有较高的载流子迁移率、良好的
碲镉汞表面钝化研究进展.pptx
,目录PartOnePartTwo钝化技术的定义和作用钝化技术的发展历程钝化技术的研究意义PartThree实验材料和实验方法实验结果和数据分析当前研究存在的问题和挑战PartFour新型表面钝化材料的研发表面钝化工艺的优化表面钝化性能的改善表面钝化技术的应用前景PartFive深入研究表面钝化机制探索新型表面钝化材料和工艺提高表面钝化性能和稳定性拓展表面钝化技术的应用领域THANKS