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双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型
题目：双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型
摘要：
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET（Dual-GateDoped-IsolationSchottkyMOSFET,DG-DISMOSFET）是一种新型的器件结构，具有优异的电学性能和高可靠性。本文根据其物理特性提出了一种解析模型，用于描述DG-DISMOSFET的工作原理和性能。
引言：
肖特基MOSFET是一种应用广泛的半导体器件，它结合了MOSFET和肖特基二极管的优点，具有快速开关速度、低电压驱动特性和较高的热容性能。然而，传统的肖特基MOSFET在一定程度上存在效应面积问题和温度稳定性问题。为了解决这些问题，DG-DISMOSFET应运而生。
DG-DISMOSFET结构：
DG-DISMOSFET由两个栅极、源漏区和金属-半导体接触肖特基二极管组成。其中，栅极1用于控制传统MOSFET部分的电流，栅极2用于控制肖特基二极管的电流。通过双栅极的控制，有效地隔离了传统MOSFET和肖特基二极管之间的效应，提高了器件的性能。
解析模型的建立：
1.基本假设
在建立解析模型时，我们做出以下基本假设：忽略栅-源漏正向电压之间的电流，忽略渐近行为和浸泡效应。
2.网络的电流-电压关系
根据基本假设，我们可以利用肖特基二极管和MOS端子之间的电流-电压关系构建解析模型。采用电流连续定律和Kirchhoff电压定律，可以建立两个栅极的电流方程。
3.管腔电流关系
DG-DISMOSFET的管腔电流受到两个栅极电流的控制。通过建立栅极电流与冯·诺伊曼形式的方程，我们可以得到管腔电流的解析表达式。
4.设置器件参数
为了模拟和优化DG-DISMOSFET的性能，我们需要设置一些器件参数，如栅极和源漏电流、导通电流和截止电流等。
实验结果分析：
通过建立解析模型，我们可以得到DG-DISMOSFET的电流-电压特性和传输特性等。实验结果显示，DG-DISMOSFET具有更低的开关电压、更高的导通电流和更好的热容特性，与传统肖特基MOSFET相比具有明显的优势。
结论：
本文针对DG-DISMOSFET的特性建立了解析模型，并通过实验结果验证了该模型的准确性。DG-DISMOSFET具有优异的电学性能，可以广泛应用于高速开关和低功耗电路中。未来，我们可以进一步研究和改进DG-DISMOSFET的性能，以满足日益增长的电子设备需求。