一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究.docx
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一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究.docx
一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究摘要:本文研究了一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及其光刻性能。首先在紫外光敏剂的作用下,合成出两种具有较好成膜性质的树脂,然后利用紫外光刻技术对其进行光刻实验。结果显示,该新型树脂不仅具有优良的成膜性能,同时在光刻方面也具有良好的性能表现。关键词:紫外正型光刻胶、成膜树脂、光刻性能1.简介光刻技术作为集成电路(IC)等微电子制造中的重要工艺,已成为实现微米甚至亚微米级别制作的必要手段。在光刻过程中,光刻胶的性能直接关系到整个光刻工艺的可行性和制作效果。
新型紫外纳米压印光刻胶的研究综述报告.docx
新型紫外纳米压印光刻胶的研究综述报告近年来,随着纳米技术的发展和应用范围的不断扩大,纳米压印技术逐渐成为一项热门的研究领域。作为纳米压印技术中的一种重要材料,光刻胶在该领域中得到了广泛的应用。新型紫外纳米压印光刻胶的研究及应用,对于发展纳米技术、推进制造业的转型升级、提升国家经济实力等方面都具有重要的意义。紫外光引发的光刻技术是利用光敏化学原理进行加工的一种方法,其技术流程相对简单、可控性较高、加工精度高、生产效率高等优点受到了广泛关注。而纳米压印技术是一种通过模板和光刻胶进行模压成型的加工方法,该方法可
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本发明公开了一种提高正型光刻胶厚膜分辨率的光刻方法,属于光刻胶曝光显影工艺技术领域。该工艺立足于提高厚膜(>20μm)光刻胶的分辨率,通过在曝光显影过程中,添加阻溶剂,抑制未曝光区的溶解,进而增强曝光区和未曝光区的溶解对比度,再结合多次曝光/多次显影的工艺过程。该方法可以降低曝光时间,减少膜厚损失,提高留膜率及图案分辨率。
一种光刻胶树脂单体的制备方法.pdf
本发明涉及一种光刻胶树脂单体的制备方法,其包括如下步骤:a)将I?1化合物、式I?2化合物加入到有机溶剂中,然后加入吩噻嗪、对甲苯磺酸,经酯化反应,纯化,得到式I?3化合物,包括如下反应路线:<base:Imagehe=@185@wi=@1000@file=@DDA0003436579230000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@yes@/>其中,R为氢原子或碳数1~6的烷基。本发明采用对甲苯
一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法.pdf
本发明实施例提供了一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法,其中所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂包括以下重量百分比的原料:23~65%极性单体、23~65%非极性单体、25~55%多羟基抗刻蚀单体。本发明实施例所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂在不损失原有193nm光刻胶树脂性能的基础上,通过在光刻胶树脂中引入含有多羟基抗刻蚀基团,不仅促进光刻胶树脂在显影后的溶解性,而且显著减小了显影后的光刻胶的残留,改善了线条边缘粗糙度,减少光刻胶缺陷率。