集成电路高温动态老化系统.docx

集成电路高温动态老化系统产品详情符合标准：GJB548（等同MIL-STD-883）、GJB597（等同MIL-M-38510）适用范围：适用于对各种数字、模拟、数模混合集成电路和SOC电路、微处理器、存储器等微电子电路进行高温动态老化试验。工作特性:●一板一区工作方式，最多可同时进行16种规格、批次的器件进行筛选试验，适应多品种、小批量。●超温报警装置，确保温度条件安全施加。●可检测各组电源工作情况及试验箱温度并描绘其与时间相关的曲线。●软件全编辑信号产生方式，可满足包括存储器在内的多种集成电路器件的动态老化要求。●集成的用户软件包基于WINDOWS平台开发，功能完备并有良好的可扩展性。●主从式RS485全双工高速串行通讯接口，远距离通讯能力强，数据传输安全可靠。●试验容量和系统分区可根据实际情况另行配置。●试验箱可选择两个小型试验箱，每个试验箱装8块老化板，可同时进行两个温度条件的试验。●可提供专用调式台，具备独立的DUT试运行接口和维修接口，方便试验前或试验中对DUT和老化板进行试验状态检查。
电子电路进行高温动态老化试验。
技术性能：
型号ELEA-VELEH-V系统分区16区（标准）试验容量208×16（以DIP14计）/试验温度最高150℃数字信号路数每板64路每板8路数字信号每路可独立编辑信号的数据、地址、控制、三态特性；信号最高频率：2MHz；最小编程分辨率100ns，最小编程步长100ns；编程深度256k；信号幅度程控范围：2.0V～18.0V；最大寻址深度：64G；数字信号可采用直接输入、字符输入、程序输入三种方法编程；模拟信号多路多种类模拟信号发生单元及驱动电路，最高频率可达1MHz;最大驱动电流：1A;信号幅度Vpp20V；直流偏移量：0～1/2Vpp；试验状态监测64路信号示波监测接口；宽范围数字、模拟信号频率自动测试、记录；二级电源电压监测；
二级电源电流、信号峰值监测（可选）通讯速率500K二级电源可程控VCC、VMUX、VEE；
输出能力：2V～18V/10A；
具备灌电流能力；2组正电源：VCC1（+2V~+36V）、VCC2（+2V~+36V）；
2组负电源：VEE1（-2V~-36V）、VEE2（-2V~-36V）；电流为最大10A；
具有过流、过压及过热保护功能；电源要求输入：AC380V,50Hz,三相（220V单相可选）；整机功率：8kW以下整机功率：12kW以下重量约500kg外形尺寸（宽×高×深）1313mm×1950mm×1350mm摘要：在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压，通过将其相减抵消温度系数，从而得到任意大小的零温度系数基准电压值。该设计方案基于某公司0.5μmCMOS工艺设计，经HSpice仿真验证表明，各项指标均已达到设计要求。
电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元，它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC，DAC等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。目前最常见的实现方式是带隙(Bandgap)电压基准，它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加权求和来获得零温度系数的基准电压。但是，在这种设计中，由于正温度系数的电压一般都是通过晶体管的be结压差得到的，负温度系数电压则直接利用晶体管的be结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具有以下局限性：
(1)CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确；
(2)寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压；
(3)在整个温度区间内，由于Vbe和温度的非线性关系，当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲率补偿。
为了解决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。它巧妙利用PMOS和NMOS阈值电压的温度特性，合成产生与温度无关的电压基准，整个电路不使用双极晶体管，克服了非线性的温度因子，并能产生任意大小的基准电压值。
1传统带隙电压基准电路
图1为典型带隙基准的原理示意图。

假设R1=R2，根据运算放大器两输入端电压相等的原则，可以得到Va=Vb，又Vbe1-Vbe2=VTlnn，因此输出电压为：

Vbe在室温下的温度系数约为-2．0mV／K，而热电压、VT在室温下的温度系数约为0．085mV／K。合理设置R2，R3和n的值，可以得到零温度系数的基准电压。
但是，由于前述有关晶体管温度特性的缺陷，使得实际设计中会存在很多困难。鉴于此，将对传统带隙基准进行改进，基于MOS阈值电压设计一款零温度系数的基准电路。
2新型电压基准电路
2．1MO