GaAs基垂直腔面发射激光器综述.docx

InP/InGaAsP垂直腔表面发射激光器综述
摘要：
简要介绍了半导体激光器的基本原理，基于InP/InGaAsP材料的垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的基本原理与结构，分布布拉格反射器（DBR）的材料与各层厚度，以及1.3μm的VCSEL在光纤通信方面的应用。
关键词:半导体激光器垂直腔表面发射激光器InP/InGaAsP
引言：
1962年，世界上第一台半导体激光器——GaAs激光器实现了低温下的脉冲工作。1970年实现了室温下连续工作，其后半导体激光器取得了迅速的发展。目前半导体激光器在光存储、光陀螺、激光打印、激光准直、测距等方面有广泛的应用。尤其在光纤通信中，它是最重要的光源之一。
垂直腔表面发射激光器的概念是由日本科学家Iga等人于1977年提出，并且于1979年研制出了第一只VCSEL，但只能实现低温下的激射，阈值电流也很高。该研究小组于1988年实现了0.86μmGaAs/AlGaAs材料的VCSEL室温下的脉冲激射。随着外延技术的发展，使得制造出高反射率的半导体布拉格反射器成为可能，这大大加速了VCSEL的研究进程。1989年贝尔实验室制作出了第一只室温下连续波工作的0.98μm单量子阱VCSEL。其后VCSEL迅速发展，至1996年，美国的Honeywell公司提供了第一只应用于光纤通信的商用质子注入型VCSEL。近几年，1.3μm与1.55μm波长的VCSEL是研究的热点，它们在中短距离通信方面有重要的应用。
1半导体激光器简介
半导体激光器是以半导体材料作为激光工作物质，利用半导体中的电子光跃迁引起光子受激发射而产生激光的光振荡器和光放大器的总称。它具有体积小，重量轻，寿命长，效率高，可利用调制高频电流的方法实现高频调制，可批量生产，可单片集成化等诸多优点。
半导体激光器发出激光的必要条件有：（1）实现粒子数反转，即将价带的电子激发到导带形成大量的电子——空穴对。（2）有一个能起光反馈作用的谐振腔。（3）满足一定的阈值条件使光增益大于光损耗。
半导体激光器的激励方式有很多，如注入电流激励、光激励、碰撞电离激励等。目前应用最广的是pn结注入电流激励。采用这种激励方式的半导体激光器称注入型半导体激光器，也称激光二极管[1]。
2半导体激光器原理
（1）半导体发光
在半导体晶体中，由于原子之间的相互作用，其外层电子（价电子）的能级发生分裂形成两个能带，能量较低的称为价带，较高者称为导带，导带底与价带顶之间的能量差称为禁带宽度Eg，如图1所示。电子-空穴对的复合过程就是电子由导带跃迁到价带的过程，这一过程会发出一个频率υ=Eg/h的光子。导带边与价带边具有相同波矢者，称为直接带隙半导体。在直接带隙半导体内，能带间的光跃迁是直接进行的，没有声子参与，光子的吸收与发射效率很高。因此在半导体激光器中，作为发光介质的有源区，必须是直接带隙半导体。图1半导体中的能带
电子-空穴对产生的过程称为载流子注入，其反过程为载流子复合。要在有源区实现粒子数反转，就需要不断的进行载流子注入，通过双异质结构（DH）可以实现载流子注入与载流子限制。其基本结构如图2[2]所示。电子由N限制层注入有源层，空穴从P限制层注入有源层，在有源层发生载流子的复合，发生光子的受激发射光放大。并且，N限制层与P限制层提供的空穴势垒和电子势垒将注入的载流子限制在有源层内，提高了载流子注入效率。图2双异质结构
（2）光波导与谐振腔
光波导是能够将光波限制在其中并使光沿层面传播的结构。介质光波导有多种形式，如：简单的双异质结结构（三层介质波导）、大光腔结构（四层介质波导）、分别限制异质结构（五层介质波导）等，这里简要介绍分别限制异质结构（SCH）。
SCH的折射率分布为最中心折射率为你n,为有源层，其旁边上下两层折射率为n2的是载流子限制层，作用是将载流子约束在有源层内同时与有源层一起构成光波导，又称为芯层。最外面折射率为n1的为上下包层，其折射率与载流子限制层相差很大，可以有效地将光约束在光波导内。
半导体激光器的谐振腔中最简单的是法布里-珀罗（F-P）谐振腔，它由两个平行的平面镜组成。在半导体器件中，光波导的两个平行的端面构成水平谐振腔，两个平行的表面构成垂直谐振腔。这种谐振腔结构非常简单，但纵模不稳定，常出现多模或跳模。利用与有源层平行耦合的布拉格衍射光栅，能够实现锁模，可将振荡频率锁定在布拉格频率附近。垂直谐振腔中，一般采用分布布拉格反射器（DBR）代替表面平面镜。DBR是折射率周期性变化的多层结构，各层厚度均为四分之一波长，利用多光束干涉使反射光得到加强来提高反射率。
3基于InP/InGaAsP材料的垂直腔表面发射半导体激光器
垂直腔表面发射激光器的出射光束垂直于芯片表面。它具有阈值电流低，出射光束发散角小，易于单片集成，出射光束为圆形等优点