非易失存储器原理与测试说明.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
非易失存储器原理与测试说明.docx
“非易失存储器”原理与测试说明1程序设计目标及程序运行效果说明程序设计目标:本程序是对24C02存储页面的0x00地址写入可变化的数据,然后读取数据,并显示在数码管上。程序运行效果说明:位数码管默认显示0。按下key3,要写入数据的地址加1。按下key2要写入的数据加1。按下key1,向存储器写入数据并读取数据,并显示在数码管上。数码管左边2位(第一、第二位)是写入的地址,数码管中间两位(第四、第五位)是写入的数据,数码管右边两位(第七、第八位)是显示从非易失存储器读取的数据。2程序相关电路及工作原理说明
非易失存储器概论.doc
非易失存储器概论作者:JituJ.Makwana,Dr.DieterK.Schroder翻译:GongYi(HYPERLINK"http://www.dzsc.com/stock-ic/INFINEON.html"\t"_blank"INFINEONHYPERLINK"http://www.dzsc.com/stock-ic/TECHNOLOGIES.html"\t"_blank"TECHNOLOGIES,HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/933/M
非易失性随机访问存储器测试系统及方法.pdf
一种非易失性随机访问存储器测试方法,该方法包括:设置诊断模式的测试参数及压力模式的测试参数;初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式;在诊断模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试;在压力模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试;生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。本发明还提供一种非易失性随机访问存储器测试系统。利用本发明测试人员可以不用停留在测试机台旁边,完全摆脱测试人员手动测试,程序自动侦测对BIOS中NVRAM的读写的开始和结束时间,指定保存文件后,
非易失性纳米晶存储器的研究.docx
非易失性纳米晶存储器的研究随着信息技术的快速发展,存储器作为计算机的重要组成部分之一,也在不断地进步发展。在最近的研究中,人类发现了一种全新的存储器技术——非易失性纳米晶存储器。非易失性纳米晶存储器是一种基于纳米晶体的存储器技术,它具有许多优点,可以代替目前使用的闪存存储器,包括更高的存储密度、更快的写入和读取速度、更长的使用寿命等。因此,它已经引起了科学家和工程师的广泛关注。本文将介绍非易失性纳米晶存储器的原理、优点、应用领域等内容。非易失性纳米晶存储器的原理非易失性纳米晶存储器的核心组成部分是一系列的
非易失性静态随机访问存储器.pdf
本发明涉及非易失性静态随机访问存储器,揭示一种非易失性静态随机访问存储器(NV‑SRAM)单元的实施例。该NV‑SRAM单元包括静态随机访问存储器(SRAM)电路(例如,传统的高性能、高可靠性SRAM电路)。然而,为了在仍保留与SRAM电路操作相关联的优点的同时避免易失性,该NV‑SRAM单元还包括一对NVM电路。这些NVM电路在断电之前撷取储存于该SRAM电路的数据节点上的数据值,并在通电时将这些数据值重写回该SRAM电路的数据节点上。本发明还揭示一种操作存储器阵列中的选定NV‑SRAM单元的方法的实施