光刻胶及光刻工艺流程.ppt

目录定义:光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作用：a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。光刻胶的成分光刻胶的主要技术参数根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类
正胶（PositivePhotoResist）：曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。
负胶（NegativePhotoResist）：反之。光刻胶的分类光刻胶的主要应用领域光刻工艺流程光刻工艺流程光刻工艺流程光刻工艺流程光刻胶的涂覆常用方法是旋转涂胶法：静态旋转和动态喷洒
静态涂胶：首先把光刻胶通过管道堆积在晶圆的中心，然后低速旋转使光刻胶铺开，再高速旋转甩掉多余的光刻胶，高速旋转时光刻胶中的溶剂会挥发一部分。光刻工艺流程光刻工艺流程涂胶的质量要求是：（1）膜厚符合设计的要求，同时膜厚要均匀，胶面上看不到干涉花纹；（2）胶层内无点缺陷（如针孔等）；（3）涂层表面无尘埃和碎屑等颗粒。
膜厚的大小可由下式决定：
式中，T为膜厚；P为光刻胶中固体的百分比含量；S为涂布机的转速；K为常数。
3.软烘烤
主要目的有：使胶膜内的溶剂挥发，增加光刻胶与衬底间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶过程中胶膜内产生的应力等。光刻工艺流程光刻工艺流程光刻工艺流程