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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103771332103771332A(43)申请公布日2014.05.07(21)申请号201310493344.6(22)申请日2013.10.18(30)优先权数据2012-2318462012.10.19JP(71)申请人精工爱普生株式会社地址日本东京(72)发明人吉泽隆彦(74)专利代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司11225代理人黄威苏萌萌(51)Int.Cl.B81B7/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)B81C1/00(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书11页说明书11页附图8页附图8页(54)发明名称电子装置及其制造方法(57)摘要本发明提供一种电子装置及其制造方法,所述电子装置包括:基板;侧壁,其被配置在所述基板上,并形成空洞;第一层,其被配置在所述侧壁上,并覆盖所述空洞;第二层,其被形成于所述第一层上,并具有被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域;绝缘层,其被配置在所述第二层的所述被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域之下;功能元件,其被配置在所述空洞内。CN103771332ACN10372ACN103771332A权利要求书1/2页1.一种电子装置,包括:基板;侧壁,其被配置在所述基板上,并形成空洞;第一层,其被配置在所述侧壁上,并覆盖所述空洞;第二层,其被形成于所述第一层上,并具有被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域;绝缘层,其被配置在所述第二层的所述被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域之下;功能元件,其被配置在所述空洞内。2.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二层的所述被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域,在俯视观察时环绕所述空洞。3.如权利要求1或权利要求2所述的电子装置,其中,在所述第一层的被配置在与俯视观察时的所述空洞的轮廓相比靠外侧的位置处的区域、与所述第二层之间,存在有所述绝缘层。4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的电子装置,其中,所述第一层及所述第二层具有贯穿至所述空洞的共同的贯穿孔。5.如权利要求4所述的电子装置,其中,具有被形成于所述第二层上的第三层,所述第三层对所述贯穿孔进行密封。6.如权利要求5所述的电子装置,其中,所述第三层包括如下的层,所述层为,通过选自Al、W及Cu中的一种、或两种以上的合金而构成的层。7.如权利要求1至权利要求6中任一项所述的电子装置,其中,所述第二层包括如下的层,所述层为,通过选自TiN、TaN、Ti、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一种、或两种以上的合金、抑或复合氮化物而构成的层。8.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的电子装置,其中,所述第一层包括三层以上的层叠结构,所述层叠结构的最上层为,通过选自TiN、Ti、W、Au及Pt中的一种、或两种以上的合金而构成的层,所述层叠结构的最下层为,通过选自TiN、Ti、W、Au及Pt中的一种、或两种以上的合金而构成的层,所述层叠结构中的至少一层是通过Al-Cu合金而构成的。9.一种电子装置的制造方法,包括:在基板的第一区域内形成功能元件的工序;在所述基板的第二区域内形成晶体管的工序;形成覆盖所述晶体管及所述功能元件的层间绝缘层的工序;在所述层间绝缘层上形成包围所述功能元件的侧壁的工序;形成覆盖所述层间绝缘层并与所述侧壁相连接的第一层的工序;2CN103771332A权利要求书2/2页形成覆盖所述第一层的绝缘层的工序;对所述绝缘层的俯视观察时的所述侧壁的内侧的区域进行去除的工序;在所述第一层及所述绝缘层上形成第二层的工序,所述第二层为,通过选自TiN、TaN、Ti、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一种、或两种以上的合金、抑或复合氮化物而构成的层;在所述第一区域内的所述第一层及所述第二层上形成贯穿孔的工序;通过所述贯穿孔而对被所述侧壁包围的所述层间绝缘层进行蚀刻并去除,从而形成收纳了所述功能元件的空洞的工序,所述第二层被形成为,具有被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域,所述绝缘层被配置在,所述第二层的所述被配置在与俯视观察时的所述第一层的轮廓相比靠外侧的位置处的区域之下。10.如权利要求9所述的电子装置的制造方法,其中,还包括:在所述第二层上形成对所述贯穿孔进行密封的第三层的工序;对所述第二层及所述第三层进行图案形成,并对所述第二区域内的所述第二层及所述第三层进行去除的工序;对所述第二区域内的所述绝缘层进行蚀刻的工序。3CN103771332A说明书1/11页电子装置及其制造方法技术领域[0001]本