半导体装置及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103872094103872094A(43)申请公布日2014.06.18(21)申请号201210533924.9(22)申请日2012.12.11(71)申请人旺宏电子股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号(72)发明人廖政华(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L21/314(2006.01)H01L21/76(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图5页附图5页(54)发明名称半导体装置及其形成方法(57)摘要本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置包括一基板、一半导体层以及一材料层。半导体层形成于基板上。材料层形成于半导体层上。半导体层及材料层沿着一从基板延伸的垂直方向具有一锥状轮廓。藉此本发明可以有效的抑制在结构之间的电桥或短路的形成。CN103872094ACN10387294ACN103872094A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，其特征在于其包括：一基板；一半导体层，形成于该基板上；以及一材料层，形成于该半导体层上，其中该半导体层与该材料层沿着一从该基板延伸的垂直方向具有一锥状轮廓，该半导体层的一表面与该材料层的一表面为共平面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该半导体层为一多晶硅层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该材料层为一半导体层。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该材料层为一金属硅化物层。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该半导体层与该材料层的共平面的该些表面与该基板的一法线向量形成一非零角度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该材料层的一顶端尺寸小于该半导体层的一底部尺寸。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括一介电层介于该基板与该半导体层之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于其中该介电层为一氧化硅层。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于其中该介电层为一堆叠层。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其中该堆叠层为一氧化物/氮化物/氧化物层。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其中该堆叠层为一氧化物/氮化物/氧化物/氮化物/氧化物层。12.一种半导体装置的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板；在该基板上形成一多晶硅层；氧化该多晶硅层的一部分；以及移除该多晶硅层的该氧化部分，以沿着一从该基板延伸的垂直方向提供一锥状轮廓给该多晶硅层。13.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中形成该多晶硅层在该基板上的该步骤包括：在该基板上形成一第一多晶硅层；以及在该第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层。14.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该多晶硅层的一侧壁与该基板的一法线向量形成一非零角度。15.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于还包括将该多晶硅层的一顶端区域转换成一金属硅化物层。16.根据权利要求15所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该剩余的多晶硅层的一表面与该金属硅化物的一表面为共平面。17.根据权利要求15所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该多晶硅层与该金属硅化物的共平面的该些表面与该基板的一法线向量形成一非零角度。2CN103872094A权利要求书2/2页18.根据权利要求15所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该金属硅化物的一顶端尺寸小于该第一多晶硅层的一底部尺寸。19.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于还包括：在该基板上形成一介电层，其中该多晶硅层形成在该介电层上。20.根据权利要求19所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该介电层为一氧化层或一氧化物/氮化物周期性堆叠层。21.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该氧化该多晶硅层的该部分的步骤为一等离子体氧化。22.根据权利要求21所述的半导体装置的形成方法，其特征在于其中该等离子体氧化是在一低压条件之下执行。23.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于还包括在该多晶硅层的该氧化部分被移除之后形成一氧化层。3CN103872094A说明书1/5页半导体装置及其形成方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种用于改善在结构之间的填补(例如氧化物填补)的半导体装置及其形成方法。背景技术[0002]一种制造可靠集成电路的重要能力是用于确实地填补结构之间的空间。举例而言，其可能必须