半导体装置及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106558488A(43)申请公布日2017.04.05(21)申请号201510860905.0H01L21/336(2006.01)(2006.01)(22)申请日2015.11.30H01L21/28(30)优先权数据14/871,8712015.09.30US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号(72)发明人陈俊纮张惠政栾洪发于雄飞许家玮(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L21/324(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书1页说明书14页附图8页(54)发明名称半导体装置及其形成方法(57)摘要本发明公开一种半导体装置及其形成方法。在各种实施例中，半导体装置形成方法包括：接收包括通道的半导体基板。气氛调节层形成于通道之上。执行退火工艺以形成位于通道与气氛调节层之间的介面层。本发明内容所应用的气氛调节层，能改良介面层的均匀性及应变松驰。此外，本发明内容提供用于栅极介电层/介面层及介面层/半导体基板介面的一个步骤的钝化工艺，能减少成本。本发明内容提供的方法，能保持工艺期间的低热预算及更小的应变松驰，并适用于诸如含锗及基于第III族-第V族的材料的高电子迁移性通道。CN106558488ACN106558488A权利要求书1/1页1.一种用于形成半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：接收包含一通道的一半导体基板；在该通道之上形成一气氛调节层；以及执行一退火工艺以形成位于该通道与该气氛调节层之间的一介面层。2.根据权利要求1所述的用于形成半导体装置的方法，其特征在于，该通道自该半导体基板突出。3.根据权利要求1所述的用于形成半导体装置的方法，其特征在于，藉由一氮化工艺或一沉积工艺来执行该形成该气氛调节层的步骤。4.根据权利要求1所述的用于形成半导体装置的方法，其特征在于，该介面层由该通道形成。5.根据权利要求1所述的用于形成半导体装置的方法，其特征在于，在一含氧气体中执行该退火工艺。6.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一半导体基板，其包含一通道；一介面层，其位于该通道之上；以及一气氛调节层，其位于该介面层之上。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该介面层所具有的一厚度位于自约至约的一范围内。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该气氛调节层所具有的一厚度位于自约至约的一范围内。9.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一半导体基板；一鳍片结构，其位于该半导体基板之上；一介面层，其位于该鳍片结构之上；以及一含氮层，其位于该介面层之上。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含位于该鳍片结构与该介面层之间的一初始层。2CN106558488A说明书1/14页半导体装置及其形成方法技术领域[0001]本发明涉及一种集成电路装置及其制造方法，且特别涉及一种具有气氛调节层的半导体装置及其制造方法。背景技术[0002]在半导体晶圆上执行各种热处理以达成与介面及半导体晶圆的有效反应，同时形成半导体装置。随着半导体装置尺寸按比例缩小，处理及制造半导体装置的复杂性已由于受限的热预算要求而增大，该热预算要求与热处理的处理时间及温度有关。根据半导体装置的可靠性的观点来看，使用高温的热处理为有利的。然而，由于受限的热预算，此种热处理必须在短时间之内执行，从而可导致不良的半导体装置效能。因此，必须不断改良半导体装置形成方法以便获得更加令人满意的半导体装置。发明内容[0003]根据本发明揭示内容的一些实施例，一种半导体装置形成方法包括：接收包括通道的半导体基板。气氛调节层形成于通道之上。执行退火工艺以形成位于通道与气氛调节层之间的介面层。[0004]根据本发明揭示内容的其他实施例，一种半导体装置包括：半导体基板，其包括通道；介面层；以及气氛调节层。介面层位于通道之上。气氛调节层位于介面层之上。[0005]根据本揭示内容的另一实施例，一种半导体装置包括半导体基板、鳍片结构、介面层及含氮层。鳍片结构位于半导体基板之上。介面层位于鳍片结构之上。含氮层位于介面层之上。[0006]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。附图说明[0007]当结合随附图式阅读时，根据以下详细描述来最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业的标准实践，各种特征并非按比例绘制。实际上，为了论述清楚，可任意增大或减小各种特征的尺寸。[0008]图1A至1C为根据一些实施例的半导体装置的各种形成阶段的横剖面图；[0009]图2A至2C为根据一些实施例的半导体装置的各种形成阶