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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103890105103890105A(43)申请公布日2014.06.25(21)申请号201280052183.0(51)Int.Cl.(22)申请日2012.09.21C09C1/30(2006.01)C09C1/40(2006.01)(30)优先权数据61/538,2192011.09.23US13/623,1472012.09.20US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.04.24(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0564642012.09.21(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/043955EN2013.03.28(71)申请人PPG工业俄亥俄公司地址美国俄亥俄州(72)发明人J·J·马丁T·A·奥克尔R·O·科拉(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人孙悦权利要求书2页权利要求书2页说明书17页说明书17页(54)发明名称经处理的填料、含有其的组合物和由其制成的制品(57)摘要本发明涉及一种生产经处理的填料的方法,其包括:(a)用包括特定结构(I)的有机硅烷材料的处理组合物来处理未经处理的填料的浆料,该未经处理的填料没有预先干燥;和(b)干燥该经处理的填料浆料。本发明还涉及通过该方法制备的经处理的填料以及包括该经处理的填料的橡胶配合组合物和轮胎。CN103890105ACN103895ACN103890105A权利要求书1/2页1.一种生产经处理的填料的方法,其包括:(c)用包含通式(I)的有机硅烷的处理组合物处理包含未经处理的填料的浆料来生产经处理的填料浆料,其中所述未经处理的填料没有预先干燥:(R1)a(R2)bSiX4-a-b(I)其中每个R1独立地是包含1-36个碳原子的有机官能烃,其中该有机官能烃的官能团是乙烯基、烯丙基、己烯基、环氧基、环氧丙氧基、(甲基)丙烯酰氧基、硫化物、异氰酸酯根合、多硫化物、巯基或卤素;每个R2独立地是具有1-36个碳原子的烃基或者氢,X每个独立地是卤素或者包含1-36个碳原子的烷氧基;a是0、1、2或3;b是0、1或2;(a+b)是1、2或3;并且条件是当b是1时,(a+b)是2或3,和(d)干燥所述经处理的填料浆料来生产经处理的填料。2.权利要求1的方法,其中该处理组合物包含有机硅烷,该有机硅烷包括卤代官能有机硅烷,其中X是烷氧基;a是1;b是0;和R1的有机官能烃的官能团是卤素。3.权利要求2的方法,其中该处理组合物包含选自下面的卤代官能有机硅烷:(4-氯甲基-苯基)三甲氧基硅烷、(4-氯甲基-苯基)三乙氧基硅烷、[2-(4-氯甲基-苯基)-乙基]三甲氧基硅烷、[2-(4-氯甲基-苯基)-乙基]三乙氧基硅烷、(3-氯-丙烯基)-三甲氧基硅烷、(3-氯-丙烯基)-三乙氧基硅烷、(3-氯-丙基)-三乙氧基硅烷、(3-氯-丙基)-三甲氧基硅烷、三甲氧基-(2-对甲苯基-乙基)硅烷和/或三乙氧基-(2-对甲苯基-乙基)硅烷。4.权利要求1的方法,其中该处理组合物进一步包含选自阴离子表面活性剂、非离子和两性表面活性剂及其混合物的处理材料,其中该处理材料的存在量是未经处理的填料的大于1重量%至25重量%。5.权利要求2的方法,其中该处理组合物进一步包含不同于该卤代官能有机硅烷的巯基硅烷。6.权利要求5的方法,其中该巯基硅烷包括巯基丙基三甲氧基硅烷。7.权利要求5的方法,其中该处理组合物进一步包含选自阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性表面活性剂及其混合物的处理材料,其中该处理材料的存在量是未经处理的填料的大于1重量%至25重量%。8.权利要求1的方法,其中所述未经处理的填料选自硅酸铝、硅胶、胶体二氧化硅、沉淀二氧化硅及其混合物。9.权利要求7的方法,其中所述处理材料是选自脂肪酸的盐、肌氨酸烷基酯、肌氨酸烷基酯的盐及其混合物。10.权利要求1的方法,其中该填料包括沉淀二氧化硅。11.权利要求1的方法,其中该经处理的填料包括经处理的沉淀二氧化硅;和该处理组合物包含:(i)通式(I)的卤代官能有机硅烷,(ii)选自阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂和/或两性表面活性剂的处理材料,其中该处理材料的存在量是未经处理的填料的大于1重量%至25重量%,和(iii)任选的,不同于卤代官能有机硅烷(i)的硅烷。12.一种生产经处理的填料的方法,其包括:2CN103890105A权利要求书2/2页(a)将碱金属硅酸盐和酸合并,来形成包含未经处理的填料的浆料,其中所述未经处理的填料没有预先干燥;(b)用包含通式(I)的有机硅烷的处理组合物来处理所述浆料,来生产经处理的填料浆料:(R1)a(R2)bSiX4-a-b(I)其中每个R1独