含锂导电糊料组合物和由其制成的制品.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103262174A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103262174103262174A(43)申请公布日2013.08.21(21)申请号201180059576.X(51)Int.Cl.(22)申请日2011.12.12H01B1/22(2006.01)(30)优先权数据61/424,2592010.12.17US(85)PCT申请进入国家阶段日2013.06.09(86)PCT申请的申请数据PCT/US2011/0643792011.12.12(87)PCT申请的公布数据WO2012/082600EN2012.06.21(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人S·D·伊特尔Z·R·李K·R·米克斯卡P·D·韦尔努伊(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明权权利要求书2页利要求书2页说明书15页说明书15页附图1页附图1页(54)发明名称含锂导电糊料组合物和由其制成的制品(57)摘要无铅糊料组合物含有导电银粉末、一种或多种玻璃料或助熔剂、以及分散在有机介质中的锂化合物。该糊料用于在具有绝缘层的太阳能电池装置的前侧面上形成电接触。该锂化合物在焙烧过程中有助于在前侧面金属化物和下面的半导体基底之间建立低电阻的电接触。CN103262174ACN1032674ACN103262174A权利要求书1/2页1.糊料组合物，包含无机固体部分，所述无机固体部分包含：(a)以固体计约75重量%至约99重量%的导电金属源；(b)以固体计约0.1重量%至约10重量%的基本上无铅的玻璃组分，所述玻璃组分包含：1-25重量%的SiO2；0.1-3重量%的Al2O3；50-85重量%的氧化铋和氟化铋中的至少一种，所述氧化铋的量为至少10重量%，并且所述氟化铋的量为最多50重量%；和至少1重量%的TiO2、ZrO2、Li2O、ZnO、P2O5、LiF、NaF、KF、K2O、V2O5、GeO2、TeO2、CeO2、Gd2O3中的至少一种、或它们的混合物；其中所述重量百分比是以所述总玻璃组分计的；以及(c)以固体计约0.1重量%至约5重量%的含锂添加剂；其中所述无机固体部分分散在有机介质中，并且所述糊料组合物是基本上无铅的。2.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述含锂添加剂为氧化锂、氢氧化锂、无机酸或有机酸的锂盐中的至少一种、或它们的混合物。3.根据权利要求2所述的糊料组合物，其中所述含锂添加剂为LiF。4.根据权利要求2所述的糊料组合物，其中所述含锂添加剂为Li2CO3。5.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述基本上无铅的玻璃组分包含以所述总玻璃组分计8-25重量%。6.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述导电金属为金、银、铜、镍、钯中的至少一种、或它们的合金或混合物。7.根据权利要求6所述的糊料组合物，其中所述导电金属为银。8.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述导电金属源为细分的银颗粒。9.制品，包括：(a)具有第一主表面的半导体基底；和(b)基本上无铅的糊料组合物在所述半导体基底的第一主表面的预选部分上的沉积物，其中所述糊料组合物包含分散在有机介质中的无机固体部分，所述无机固体部分包含：(i)以固体计约75重量%至约99重量%的导电金属源；(ii)以固体计约0.1重量%至约10重量%的基本上无铅的玻璃组分；和(iii)约0.1重量%至约5重量%的含锂添加剂。10.根据权利要求9所述的制品，其中绝缘层存在于所述半导体基底的第一主表面上，并且将所述糊料组合物沉积在所述绝缘层上。11.根据权利要求10所述的制品，其中已将所述糊料组合物焙烧以除去所述有机介质并形成电极，所述电极具有与所述半导体基底的电接触。12.根据权利要求10所述的制品，其中所述半导体基底为硅片。13.方法，包括：(a)提供具有第一主表面的半导体基底；2CN103262174A权利要求书2/2页(b)将基本上无铅的糊料组合物施用到所述第一主表面的预选部分上，其中所述糊料组合物包含分散在有机介质中的无机固体部分，并且所述无机固体部分包含：(i)以固体计约75重量%至约99重量%的导电金属源；(ii)以固体计约0.1重量%至约10重量%的基本上无铅的玻璃组分；和(iii)以固体计约0.1重量%至约5重量%的含锂添加剂；以及(c)焙烧所述基底和所述糊料组合物，从而除去所述糊料组合物的有机介质并形成电极，所述电极具有与所述半导体基底的电接触。14.根据权利要求13所述的方法，其中将绝缘层设置在所述第一主表面上，并且将所述糊料组合物施用在所述绝缘层上。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述绝缘层包含以下中的至少一种：氧化铝、氧化钛、氮化硅、SiN