基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析.docx
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基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析摘要:双脉冲试验是以IGBT为研究对象,通过施加两个脉冲电压,在不同电压下反复进行开关操作,从而得到IGBT的电流-电压特性曲线。本文借助双脉冲试验,分析了IGBT的行为模型,并进行了开关暂态分析。关键词:IGBT;双脉冲试验;行为模型;开关暂态分析1.引言IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种重要的功率半导体器件,具有功率大、开关速度快等优点,在电力电子领域得到广泛应用。为
IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf
第30卷第15期中国电机工程学报Vol.30No.15May25,2010402010年5月25日ProceedingsoftheCSEE©2010Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号:0258-8013(2010)15-0040-08中图分类号:TM85文献标志码:A学科分类号:470⋅40IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析毛鹏,谢少军,许泽刚(南京航空航天大学自动化学院,江苏省南京市210016)SwitchingTransientsModelandLossAnalysisofIGBT
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