IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf
一吃****仕龙
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
IGBT 模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf
第30卷第15期中国电机工程学报Vol.30No.15May25,2010402010年5月25日ProceedingsoftheCSEE©2010Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号:0258-8013(2010)15-0040-08中图分类号:TM85文献标志码:A学科分类号:470⋅40IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析毛鹏,谢少军,许泽刚(南京航空航天大学自动化学院,江苏省南京市210016)SwitchingTransientsModelandLossAnalysisofIGBT
IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf
第30卷第15期中国电机工程学报Vol.30No.15May252010402010年5月25日ProceedingsoftheCSEE©2010Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号:0258-8013(2010)15-0040-08
IGBT模块的新型开关模型与损耗分析.docx
IGBT模块的新型开关模型与损耗分析IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管)是一种具有高压和大电流特性的半导体开关器件。由于其特殊的结构和特性,IGBT在许多领域都有广泛的应用,如电力电子、工业自动化和汽车电子等。新型开关模型传统的开关模型对于IGBT来说已经不再适用,因为传统的开关模型无法准确地反映IGBT的各种特性,如漏电流、栅电压和饱和电压等。为了解决这个问题,研究人员提出了一种新型的IGBT开关模型。新型开关模型采用了更精确的参数来描述IG
基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析.docx
基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析摘要:双脉冲试验是以IGBT为研究对象,通过施加两个脉冲电压,在不同电压下反复进行开关操作,从而得到IGBT的电流-电压特性曲线。本文借助双脉冲试验,分析了IGBT的行为模型,并进行了开关暂态分析。关键词:IGBT;双脉冲试验;行为模型;开关暂态分析1.引言IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种重要的功率半导体器件,具有功率大、开关速度快等优点,在电力电子领域得到广泛应用。为
IGBT模块的损耗.pdf
IGBT模块的损耗、温度和安全运行梁知宏IFCNAIM2007.09页1IGBT模块的损耗IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管(续流FWD、整流)芯片的损耗,主要是IGBT和FWD产生的损耗。IGBT不是一个理想开关,体现在:1)IGBT在导通时有饱和电压–Vcesat2)IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗,Eon和Eoff造成开关损耗。导通损耗+开关损耗=IGBT总损耗。FWD也存在两方面的损耗,因为:1)在正向导通(即续流)时有