IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf

第30卷第15期中国电机工程学报Vol.30No.15May252010402010年5月25日ProceedingsoftheCSEE©2010Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号：0258-8013(2010)15-0040-08中图分类号：TM85文献标志码：A学科分类号：470⋅40IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析毛鹏谢少军许泽刚(南京航空航天大学自动化学院江苏省南京市210016)SwitchingTransientsModelandLossAnalysisofIGBTModuleMAOPengXIEShao-junXUZe-gang(CollegeofAutomationEngineeringNanjingUniversityofAeronauticsandAstronauticsNanjing210016JiangsuProvinceChina)ABSTRACT:Maincharacteristicsofinsulatedgatebipolar0引言transistor(IGBT)andtheanti-paralleleddiodeduringswitchingtransientareconcludedandthecorresponded与变换器效率直接相关的损耗问题一直是各[1-6]switchingmodelisdeducedbasedonwhichthelossanalysis国学者研究的热点其中如何准确估算变换器的modelisproposed.Theinfluenceofconductioncurrenton损耗是研究的重要内容之一[7-13]。switchingtransientshasbeentakenintoconsiderationinthe若不考虑线路损耗则功率变换器的损耗主要proposedswitchingmodelandthewaveformsofvoltageand由3部分构成：1）功率半导体器件开通、关断过currentduringswitchingtransientsofanygivenswitching程的开关损耗；2）导通状态下的通态损耗；3）关periodcanberepresentedwhichlayafoundationforloss断状态下的截止损耗。随着开关频率的提高开关analysisofpowerconverters.ThenovelswitchingmodelissuitablenotonlyfortheDC/DCconverterbutalsoforAC/DC损耗在变换器总损耗中所占比例逐渐增大并成为andDC/ACconvertersinwhichtheconductioncurrentvary影响变换器效率的主要因素。然而开关过程持续betweentheadjacentswitchingperiod.Simulink/Stateflowis时间通