硅麦克风硅基驻极体电容话筒.pptx
胜利****实阿
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硅麦克风硅基驻极体电容话筒.pptx
硅麦克风(硅基驻极体电容话筒)主要内容:驻极体电容话筒旳基本原理声压作用于振膜,使其振动电容量随振膜和背极间距D变化电容量C变化等同于电荷量Q变化振动信号转换成电流信号硅麦克风旳一般构造微电子机械系统(MEMS)硅麦克风研发旳技术难点薄膜生长技术:薄膜生长常用技术:化学气相淀积(CVD)LPCVD:技术成熟,但薄膜张应力非常大,极易破裂,成品率不高旳原因之一;膜柔性差,敏捷度无法提升。lpcvd氮化硅密度2.9-3.1pecvd密度APCVD:形成旳薄膜张应力小,破损率低,PECVD:需要旳温度比较低(3
硅基电容麦克风.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)申请公布号CN201403201Y(43)申请公布日2010.02.10(21)申请号CN200920135949.7(22)申请日2009.03.27(71)申请人瑞声声学科技(常州)有限公司;瑞声声学科技(深圳)有限公司地址213167江苏省常州市武进区南夏墅镇(72)发明人葛舟;张睿(74)专利代理机构代理人(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称硅基电容麦克风(57)摘要本实用新型提供了一种硅基电容麦克风,包括基底
硅麦克风.pdf
本发明提供一种硅麦克风,包括:具有声腔的基底,在所述声腔边缘的基底上设有绝缘的多个振膜固定件;位于各所述振膜固定件之上、且覆盖所述声腔的导电振膜,其中,所述导电振膜的中心区域具有第一梳齿;固设在所述中心区域的中心电极件,包括:与所述第一梳齿相交叉、且与所述第一梳齿之间留有间隙的第二梳齿;其中,所述第一梳齿和第二梳齿相对的面构成电容的两个电极。本发明能解决导电振膜振动时容易导致两极粘连的问题。
驻极体话筒.doc
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纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究.pdf