抗辐照工艺器件ESD性能研究.docx
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抗辐照工艺器件ESD性能研究.docx
抗辐照工艺器件ESD性能研究论文题目:抗辐照工艺器件ESD性能研究摘要:随着现代电子设备的普及和应用范围的扩大,对于电子器件的抗辐照能力要求日益增加。在电子设备中,静电放电(ESD)是引起器件失效的一种重要原因。因此,研究抗辐照工艺器件的ESD性能显得尤为重要。本论文针对抗辐照器件的ESD性能进行了深入研究,并探讨了提高器件的抗辐照能力的方法和途径。1.引言在现代电子设备中,抗辐照能力已成为衡量电子器件稳定性和可靠性的一个重要指标。而静电放电(ESD)作为电子器件的主要杀手级事件,对器件的抗辐照能力有着重
VDMOS器件的抗辐照效应研究.docx
VDMOS器件的抗辐照效应研究随着人类社会的不断发展和科技的进步,电子器件在日常生活中扮演着越来越重要的角色。然而,在辐射环境下的电子器件性能却容易受到影响,特别是在对高强度放射线的敏感性方面尤为明显。因此,为了提高电子器件的可靠性和稳定性,在辐射环境下的电子器件抗辐照效应的研究显得尤为重要。其中,VDMOS器件(VerticalDouble-DiffusedMOSFET)作为现代电力电子应用中广泛采用的器件,也存在辐射环境下的抗辐照效应问题。因此,本文将从VDMOS器件抗辐照效应的原理、影响因素和应对措
VDMOS器件的抗辐照效应研究的综述报告.docx
VDMOS器件的抗辐照效应研究的综述报告VDMOS器件是目前广泛应用于高压、高频功率器件的可靠器件之一。由于其在高能环境下具有很高的抗辐照特性,因此广泛应用于空间、核及辐射工作环境下。本文将综述VDMOS器件的抗辐照机理、辐照效应以及抗辐照研究现状和未来的发展趋势。VDMOS器件的抗辐照机理:VDMOS器件的抗辐照机理与器件物理结构密切相关。其优异的抗辐照特性源于P型衬底上形成的N沟道型功率MOSFET器件结构。P型衬底具有很好的辐照补偿作用,能够有效地补偿由辐射引起的电离辐射造成的电荷异常增加所产生的扰
航天电子元器件抗辐照加固工艺.pdf
电子工艺技术44ElectronicsProcessTechnology2013年1月第34卷第1期航天电子元器件抗辐照加固工艺孙慧,徐抒岩,孙守红,张伟(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033)摘要:介绍了空间辐射环境及电子元器件抗辐照处理的必要性;阐述了影响抗辐照加固性能的主要因素。结合实际工程应用,对于抗辐照加固工艺过程进行了着重说明,列举了抗辐照加固环节所应注意的一些要点。关键词:空间辐射;抗辐照加固;电子元器件中国分类号:TN605文献标识码:A文章编号:1001-3474
航天电子元器件抗辐照加固工艺.docx
航天电子元器件抗辐照加固工艺随着航天技术的不断发展,人类的探索范围也越来越广阔。航天器在极端的环境中工作,如太空高剂量辐射和高速冷却等条件,很容易导致其电子元器件受到破坏,而这些部件的损坏可能会导致整个系统失效。因此,对于航天器的电子元器件进行抗辐照加固至关重要。一、电子元器件的发展和需求电子元器件是制造电子设备的基本构件,其发展也是人为了满足需求的不断推动。航天电子元器件具有重要的意义和应用。在航天器中,航天电子元器件的作用类似于人的神经系统,可以控制和监控其它系统及器件的工作状态。同时,这些器件在艰苦