航天电子元器件抗辐照加固工艺.pdf
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航天电子元器件抗辐照加固工艺.pdf
电子工艺技术44ElectronicsProcessTechnology2013年1月第34卷第1期航天电子元器件抗辐照加固工艺孙慧,徐抒岩,孙守红,张伟(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033)摘要:介绍了空间辐射环境及电子元器件抗辐照处理的必要性;阐述了影响抗辐照加固性能的主要因素。结合实际工程应用,对于抗辐照加固工艺过程进行了着重说明,列举了抗辐照加固环节所应注意的一些要点。关键词:空间辐射;抗辐照加固;电子元器件中国分类号:TN605文献标识码:A文章编号:1001-3474
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航天电子元器件抗辐照加固工艺随着航天技术的不断发展,人类的探索范围也越来越广阔。航天器在极端的环境中工作,如太空高剂量辐射和高速冷却等条件,很容易导致其电子元器件受到破坏,而这些部件的损坏可能会导致整个系统失效。因此,对于航天器的电子元器件进行抗辐照加固至关重要。一、电子元器件的发展和需求电子元器件是制造电子设备的基本构件,其发展也是人为了满足需求的不断推动。航天电子元器件具有重要的意义和应用。在航天器中,航天电子元器件的作用类似于人的神经系统,可以控制和监控其它系统及器件的工作状态。同时,这些器件在艰苦
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抗辐射加固与非加固工艺制备SiSiO_2电离辐照的XPS深度剖析引言随着人类科技的不断发展和应用,我们在多个领域中不可避免地与辐射接触。但是,高能辐射对大部分物质都有着破坏性的影响,因此,如何保护我们的设备及其所包含的部件不受辐射的影响,成为了一项非常重要的任务。在这样的背景下,抗辐射加固与非加固工艺制备SiSiO_2电离辐照的XPS深度剖析就成为了一个热点问题。本文将从以下几个方面进行探讨:抗辐射加固的概念和原理、抗辐射加固与非加固工艺制备SiSiO_2电离辐照的实验过程和结果,以及XPS深度剖析方法的
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基于65nm体硅CMOS工艺的SRAM单元抗辐照加固研究基于65nm钝化层硅CMOS工艺的SRAM单元抗辐照加固研究摘要:辐照是指材料或设备在辐射环境下所遭受的辐照损伤。在高辐照环境下,硅片上的SRAM单元容易受到辐照引起的位移损坏,这对于芯片的可靠性和稳定性而言是一个重要的挑战。本论文针对65nm工艺下的SRAM单元,研究了辐照加固措施,以提高其抗辐照性能。通过改良工艺参数,优化SRAM电路,设计辐照加固方案,以提高SRAM单元的稳定性与可靠性。1.引言随着半导体技术的不断发展和应用范围的扩大,尤其是在