对大功率IGBT模块损耗的研究.docx
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对大功率IGBT模块损耗的研究大功率IGBT模块损耗的研究摘要:随着电力电子设备的不断发展,大功率IGBT模块的应用越来越广泛。然而,模块损耗是制约其性能和可靠性的关键因素之一。本论文对大功率IGBT模块的损耗进行了研究,主要包括导通损耗和关断损耗。通过详细分析损耗的来源和影响因素,提出了优化策略,以提高模块的效率和寿命。关键词:大功率IGBT模块;损耗;导通损耗;关断损耗;优化策略第一节:引言大功率IGBT模块作为一种常见的功率半导体器件,被广泛应用于电力电子设备中。它具有耐压高、控制能力强和可靠性好等
IGBT模块的损耗.pdf
IGBT模块的损耗、温度和安全运行梁知宏IFCNAIM2007.09页1IGBT模块的损耗IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管(续流FWD、整流)芯片的损耗,主要是IGBT和FWD产生的损耗。IGBT不是一个理想开关,体现在:1)IGBT在导通时有饱和电压–Vcesat2)IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗,Eon和Eoff造成开关损耗。导通损耗+开关损耗=IGBT总损耗。FWD也存在两方面的损耗,因为:1)在正向导通(即续流)时有
IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析.pdf
第30卷第15期中国电机工程学报Vol.30No.15May25,2010402010年5月25日ProceedingsoftheCSEE©2010Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号:0258-8013(2010)15-0040-08中图分类号:TM85文献标志码:A学科分类号:470⋅40IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析毛鹏,谢少军,许泽刚(南京航空航天大学自动化学院,江苏省南京市210016)SwitchingTransientsModelandLossAnalysisofIGBT
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IGBT模块的新型开关模型与损耗分析.docx
IGBT模块的新型开关模型与损耗分析IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管)是一种具有高压和大电流特性的半导体开关器件。由于其特殊的结构和特性,IGBT在许多领域都有广泛的应用,如电力电子、工业自动化和汽车电子等。新型开关模型传统的开关模型对于IGBT来说已经不再适用,因为传统的开关模型无法准确地反映IGBT的各种特性,如漏电流、栅电压和饱和电压等。为了解决这个问题,研究人员提出了一种新型的IGBT开关模型。新型开关模型采用了更精确的参数来描述IG