低轮廓换能器模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105366628B(45)授权公告日2018.05.15(21)申请号201510476094.4(51)Int.Cl.(22)申请日2015.08.06B81B7/02(2006.01)B81C1/00(2006.01)(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105366628A审查员裴芳莹(43)申请公布日2016.03.02(30)优先权数据14/4525652014.08.06US(73)专利权人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号(72)发明人A.德赫H.托伊斯(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人王岳胡莉莉权利要求书2页说明书11页附图13页(54)发明名称低轮廓换能器模块(57)摘要本发明涉及一种低轮廓换能器模块。公开了换能器结构。换能器结构可包括衬底，其具有位于衬底的第一侧面上的MEMS结构以及耦合到衬底的第一侧面并覆盖MEMS结构的盖。衬底可包括在衬底的第一侧面上从盖横向移位并电耦合到MEMS结构的电接触部。CN105366628BCN105366628B权利要求书1/2页1.一种换能器结构，包括：衬底；微机电系统结构，其被设置在所述衬底的第一侧面之上；以及盖，在所述衬底的所述第一侧面之上覆盖所述微机电系统结构；所述衬底包括横向移位到在所述衬底的所述第一侧面上的所述盖的电接触部，其中所述电接触部电耦合到所述微机电系统结构。2.如权利要求1所述的换能器结构，还包括：穿孔，其穿过所述衬底形成并被布置成使得所述微机电系统结构的至少一部分跨越所述穿孔悬挂。3.如权利要求2所述的换能器结构，其中所述穿孔包括配置成将声波传导到所述微机电系统结构的声通信端口。4.如权利要求1所述的换能器结构，还包括：在所述盖中形成的空隙。5.如权利要求1所述的换能器结构，其中所述衬底的一部分横向延伸超过所述盖。6.如权利要求1所述的换能器结构，其中所述衬底和所述盖被布置成形成台阶状结构。7.如权利要求1所述的换能器结构，其中所述电接触部位于未被所述盖覆盖的所述衬底的所述第一侧面的一部分上。8.如权利要求1所述的换能器结构，其中所述盖包括金属化材料。9.一种换能器结构，包括：载体结构；微机电系统结构，其被设置在所述载体结构之上；以及盖，其限定所述微机电系统结构的背容积的至少一部分；所述载体结构包括与所述盖在所述载体结构的相同侧面上横向移位到所述盖的电接触部，且所述电接触部电耦合到所述微机电系统结构。10.如权利要求9所述的换能器结构，还包括：穿孔，其穿过所述载体结构形成并被布置成使得所述微机电系统结构的至少一部分跨越所述穿孔悬挂。11.如权利要求9所述的换能器结构，其中所述盖包括模制引线框封装。12.一种换能器结构，包括：载体结构；微机电系统结构，其被设置在所述载体结构的第一侧面之上；以及背容积盖，其被设置在与所述载体结构的所述第一侧面相对的所述载体的第二侧面之上；所述载体结构包括在所述载体结构的第二侧面上横向移位到所述背容积盖的电接触部，其中所述电接触部电耦合到所述微机电系统结构。2CN105366628B权利要求书2/2页13.如权利要求12所述的换能器结构，还包括：穿孔，其穿过所述载体结构形成并被布置成使得所述微机电系统结构的至少一部分跨越所述穿孔悬挂。14.如权利要求13所述的换能器结构，其中所述穿孔包括配置成允许在MEMS结构和由所述背容积盖围住的背容积之间的声通信的端口。15.如权利要求12所述的换能器结构，其中所述载体结构的一部分横向延伸超过所述背容积盖。16.如权利要求12所述的换能器结构，其中所述载体结构和所述背容积盖被布置成形成台阶状结构。17.如权利要求12所述的换能器结构，其中所述背容积盖包括模制引线框封装。18.如权利要求12所述的换能器结构，其中所述载体结构包括金属载体。19.如权利要求12所述的换能器结构，其中微机电系统结构包括微机电系统传感器和电耦合到所述微机电系统传感器并配置成处理由所述微机电系统传感器生成的至少一个信号的专用集成电路。3CN105366628B说明书1/11页低轮廓换能器模块技术领域[0001]各种实施例涉及具有通常分层或台阶状形状的低轮廓换能器模块。背景技术[0002]很多电子装置（例如智能电话、平板计算机、膝上型计算机、照相机等）利用多种电子部件，包括传感器和换能器。这些电子部件通常被安装到衬底和/或电路板以便于给定电子装置的操作。此外，大量这些电子部件需要特殊安装技术，例如声密封来正确地运行。这些特殊安装技术结合衬底的厚度和部件本身的厚度对总封装大小做出贡献。在大部分电子装置，特别是消费电子装置中，更小、更薄的装置越来越是期望的。发明内容[0003]在各