石墨烯湿法转移过程工艺优化.docx
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石墨烯湿法转移过程工艺优化.docx
石墨烯湿法转移过程工艺优化石墨烯是一种单一碳原子层构成的新型材料,具有优异的电学、热学、机械、光学性能,在能量储存、传感、信息技术等领域具有广泛的应用前景。石墨烯的大面积制备是研究的热点之一,其中湿法转移是一种有效的制备方法。本文将详细介绍石墨烯湿法转移过程工艺的优化。1.石墨烯湿法转移原理石墨烯湿法转移是将已经制备好的石墨烯从金属衬底上转移到其他基底材料上的一种技术。湿法转移的基本原理是利用不溶于水的有机溶剂将石墨烯从原有基底上剥离,并通过溶液浸泡或转移过程将其转移到目标基底上。通常用的有机溶剂是聚甲基
石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响.docx
石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响石墨烯作为一种二维材料,具有独特的结构和性质,使其在传感器领域具有广阔的应用前景。其中,石墨烯传感器的检测汞离子具有重要的意义,因为汞离子的过量存在对人体和环境都具有严重的危害。石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响是一个关键的研究方向。本文将从石墨烯转移工艺、石墨烯传感器检测汞离子的原理及应用等方面进行探讨,以期能够深入理解石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响。石墨烯转移工艺是制备石墨烯传感器的重要步骤之一。石墨烯通常是通过机械剥离、化学气相沉积
一种无聚合物湿法转移石墨烯方法.pdf
本发明公开了一种无聚合物湿法转移石墨烯方法,包括将生长有石墨烯的铜箔清洗并吹干;配置浓度腐蚀溶液;在石墨烯‑铜箔上滴加庚烷,庚烷完全覆盖石墨烯表面,石墨烯表面形成一层庚烷层;将具有庚烷层的石墨烯‑铜箔漂浮在腐蚀溶液的液面上,铜箔与腐蚀溶液位于液面上,石墨烯位于铜箔之上;在腐蚀溶液中加入庚烷;等待铜箔溶解完毕,将基底的氧化层水平地置于石墨烯上方,使基底与石墨烯面接触;将基底缓慢的压向石墨烯,直到石墨烯与基底充分接触,石墨烯附着于基底,形成石墨烯‑基底;获得石墨烯‑基底并清洗,去除腐蚀溶液、残留的金属和庚烷;
一种CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜及方法.pdf
本发明公开一种CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜及方法,过程为:先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液,得到结构A;再将结构A在40‑80℃烘1‑60分钟;再去除结构A的金属衬底,得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜;再对得到的复合薄膜进行漂洗,得到干净的复合薄膜。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题,同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜很好的弥补了石墨烯的不足,使其性能得到了极大地提高。
CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法.pdf
本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法,其过程为:先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液,得到结构A;再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟;再去除结构A的金属衬底,得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜;再对得到的复合薄膜进行漂洗;最后将漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上,再进行晾干和烘,得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题,同时制备的氧化石墨烯与