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物联网发展状况及核心技术主要应用领域:工业、能源、信息科学 近几年发展趋势:能量变换半导体薄膜和器件 半导体薄膜传感器 半导体薄膜集成光学器件 能量变换半导体薄膜和器件光子照射至半导体上使价带电子得能量到导带,产生电子空穴对,在PN结内电场 作用下产生光生电动势2、热电变换薄膜材料3、超导薄膜器件半导体薄膜传感器半导体薄膜集成光学器件集成光学器件材料 集成光路用材料的要求:1、具有某些功能,或者不仅能产生光、接收光、传输光、和控制光,而且还能制作各种回路。前者可以做成单功能或某些功能的集成光路,后者可以在同一基板上做成多功能的光电集成回路;2、材料要具有一定的折射率,光波导的折射率比基板的折射率高大约10-3~10-1;3、材料做成薄膜光波导后,在使用波长范围内的传输损耗必须小于1dB/cm;4、便于制作波导及器件,所制成的元件在外界各种工作环境下性能稳定。所用材料分三类: ①以GaAs为基础形成的光电子材料,包括AlGaAs、InP、GaInAsP等,他们是制作光电子器件常用的材料 ②以LiNbO3钙钛矿结构为代表的具有特殊电光性质的单晶材料;波导形成方法:外扩散、内扩散、离子注入、质子交换等 ③包括各种多晶和非晶态物质,如氧化物、玻璃、聚合物等 主要器件:光波导相位调制器、强度调制器、开关网络、模式转换器、滤波器、波分复用器、声光频谱分析器、模数转换器、数模转换器、倍频器、多种传感器。半导体金属薄膜的应用光伏技术中的应用 光伏技术中的应用 光能(特别是太阳能)可用于进行某些化学反应使光能转换为化学能。在这方面,人们特别感兴趣的是光解水及光助电解水。因为水是廉价的,而氢是方便的燃料和工业资源。然而,半导体电极普遍存在着在水溶液中和光照条件下非常不稳定的问题。为此,已建议在不稳定的半导体表面覆盖金属薄膜这些薄膜将对光是透明的,并能保护电极不受分解。将贵金属Pt、Ru、Rh、Pd沉积在半导体GaP、Si、InP、TiO2、CdTe、WSe、GaInPAs的表面上,当厚度约为10~20nm时,远小于载流子的平均自由程。这样的电极可以起到稳定半导体电极的作用,同时透过薄膜到达半导体/金属界面的光强基本上不降低。在研究工作中还发现,镀覆金属的半导体材料,还有可能对光解析氢具有明显催化作用。p型GaP表面镀覆极少量(单层数量级)的银、金或铂,可大大降低析氢过电位。过电位的降低是因为金属吸附氢以后,使其功函数下降。金属膜的组成和分布是决定催化性能的关键,金属岛状分布的贵金属有较好的催化性能,其中以W、Pt、Pd为最优。 光伏技术中的应用 传统的照相材料(卤素)是借助物理显影来成像的。物理显影一般包括金属在照相底版上的催化沉积,其中显影中心是形成晶体的晶种,为了用廉价金属代替贵金属银,通常利用金属在半导体上的光电化学沉积,这样就形成了常用的两种方法,一种是使半导体/电解液界面在“极限电流”的条件下工作。当光学图象投射电极表面时,光照部分的少子浓度和反应速度都增加。在p型样品中可加速金属的阴极电沉积,而在n型样品中则加速阳极反应。例如加速Pb2+的氧化和在表面生成有色泽的PbO2层。作为照相底版常采用PbSe、PbS、Si和GaP等。另一种方案是利用电解液中半导体电极表面的光照和无光照部分之间所产生的电势差。由于表面的不均匀光照,而形成的局部阳极和阴极,同样也能导致金属在表面的不均匀沉积。 光伏技术中的应用 目前,通过在n-Si上镀覆Ti、Mo、Cr、W等金属膜,制作出了在1~100A的电流范围内,起始电压仅0.5V左右的大功率整流用肖特基二极管。在功率相同时,肖特基二极管内部消耗的功率只有pn结二极管的一半。另外,在3~30GHz微波波段,甚至频率更高的毫米波段、亚毫米波段的无线电通讯,以及激光、脉冲调制电路等领域,都要使用pn结二极管及肖特基二极管,要制作在如此高的频率范围下使用的、损耗很小的二极管,应当设法减小寄生电容及电阻,因此,必须制作接触面积很小的二极管。pn结二极管由于在制作过程中存在热扩散工艺,无法获得太小的面积,而肖特基二极管在制作时就没有这一工序,在氧化膜上开出微小接触孔之后,再采用电镀等方法,可制作出在氧化膜上寄生MOS容量微小的结面积。