半导体工艺Photo.ppt
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IC工艺技术系列讲座第二讲讲座提要1.General2.0Facilityrequirement3.0Mask(掩膜版)PelliclePellicleprotection4.0光刻工艺概述4.1PrebakeandHMDStreatment4.2ResistCoating(涂胶)4.2.1Coater(涂胶机)SVG88004.2.3Coater(涂胶机)4.2.4Coater(涂胶机)ResistType4.3.1Exposure(曝光)4.3.2Exposure(曝光)4.3.3Exposure(曝
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半导体制造工艺流程半导体相关知识半导体元件制造过程可分为一、晶圆处理制程二、晶圆针测制程三、IC构装制程半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类双极型集成电路和MOS集成电路优缺点半导体制造环境要求半导体元件制造过程典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程横向晶体管刨面图纵向晶体管刨面图NPN晶体管刨面图1.衬底选择第一次光刻—N+埋层扩散孔外延层淀积第二次光刻—P+隔离扩散孔第三次光刻—P型基区扩散孔第四次光刻—N+发射区扩散孔第五次光刻—引线接触孔第六次光刻—金属化内连线:反刻
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光刻的目的因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准,将会导致整个电路失效。除了对特征图形尺寸和图形对准的控制,在工艺过程中的缺陷水平的控制也同样是非常重要的。光刻操作步骤的数目之多和光刻工艺层的数量之大,所以光刻工艺是一个主要的缺陷来源。VLSI对光刻的要求光刻工艺流程Transferofapatterntoaphotosensitivemateriala)Patterntransferfr
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