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半导体相关知识半导体元件制造过程可分为一、晶圆处理制程二、晶圆针测制程三、IC构装制程半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类双极型集成电路和MOS集成电路优缺点半导体制造环境要求半导体元件制造过程典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程横向晶体管刨面图纵向晶体管刨面图NPN晶体管刨面图1.衬底选择第一次光刻—N+埋层扩散孔外延层淀积第二次光刻—P+隔离扩散孔第三次光刻—P型基区扩散孔第四次光刻—N+发射区扩散孔第五次光刻—引线接触孔第六次光刻—金属化内连线：反刻铝CMOS工艺集成电路CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例集成电路中电阻1集成电路中电阻2集成电路中电阻3集成电路中电阻4集成电路中电阻5集成电路中电容1集成电路中电容2主要制程介绍矽晶圓材料（Wafer）一般清洗技术光学显影蝕刻技術（EtchingTechnology）常见湿法蚀刻技术CVD化學气相沉積化學气相沉積CVD化学气相沉积技术物理气相沈積（PVD）解离金属电浆（淘气鬼）物理气相沉积技术离子植入（IonImplant）化学机械研磨技术制程监控光罩检测（Retical检查）铜制程技术半导体制造过程1晶片切割（DieSaw）2黏晶（DieBond）3銲線（WireBond）4封膠（Mold）5剪切/成形（Trim/Form）6印字（Mark）7檢驗（Inspection）8封装硅器件失效机理典型的测试和检验过程1。芯片测试（wafersort）2。芯片目检（dievisual）3。芯片粘贴测试（dieattach）4。压焊强度测试（leadbondstrength）5。稳定性烘焙（stabilizationbake）6。温度循环测试（temperaturecycle）8。离心测试（constantacceleration）9。渗漏测试（leaktest）10。高低温电测试11。高温老化（burn-in）12。老化后测试（post-burn-inelectricaltest）芯片封装介绍一、DIP双列直插式封装Through-HoleAxial&RadialThrough-HoleAxial&RadialSurfaceMountComponent(表面帖裝元件)SurfaceMountComponent(表面帖裝元件)SurfaceMountComponent(表面帖裝元件)二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装SurfaceMountComponentSurfaceMountComponentBGA球栅阵列封装三、PGA插针网格阵列封装四、SurfaceMountComponent五、CSP芯片尺寸封装六、MCM多芯片模块集成电路相关知识1集成电路相关知识2集成电路相关知识3微处理器发展年表90纳米对半导体厂商来说，是更加尖端的技术领域，过去工艺都以“微米”做单位，微米(mm)是纳米(nm)的1000倍。我们常以工艺线宽来代表更先进的半导体技术，如0.25微米、0.18微米、0.13微米，0.13微米以下的更先进工艺则进入了纳米领域。BestWishForYou