第七章-常用半导体器件ppt课件全.ppt

第七章常用半导体器件一、本征半导体在获得一定的能量（温度升高或受到光线照射）后，共价健中的价电子获得一定能量即可挣脱共价健的束缚而成为自由电子，同时在共价健中出现了相应的空位置，称为“空穴”。自由电子和空穴成对产生，数量相等，这一现象称为热激发。热激发产生自由电子--空穴对。
在外电场的作用下，自由电子逆电场方向运动形成电子电流。价电子填补空穴的现象会在相邻原子间进行，相当于空穴顺电场方向运动形成空穴电流。自由电子和空穴在半导体中称为载流子，因为它们都具有运载电流的能力。

当能量减低后，自由电子有可能又返回共价键中填补空穴而成为束缚电子，这种现象称为复合。在一定的温度下，载流子的产生与复合总在进行，并能达到一种动态平衡。两种载流子（一）P型半导体（二）N型半导体在本征半导体硅（Si）或锗（Ge）中掺入微量的有用杂质元素内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。漂移运动二、PN结的单向导电性（二）PN结反向偏置三、半导体二极管的结构与伏安特性将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。（二）二极管的伏安特性四、二极管的主要参数五、稳压二极管第三节半导体三极管多子浓度高B二、三极管的电流放大作用扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。电流分配：IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流
IB－复合运动形成的电流
IC－漂移运动形成的电流三极管能够进行电流放大，其内因是它的特殊结构，其外因是给三极管的发射结加了正向偏置电压，集电结加了反向偏置电压。三极管内部载流子的运动在这样的外部条件下就能完成IB对IC的控制作用。三、三极管的特性曲线（一）输出特性曲线晶体管的三个工作区域四、三极管的主要参数

（一）电流放大系数β

（二）集电极反向饱和电流ICBO

（三）穿透电流ICEO

（四）极限参数

1、集电极最大允许电流ICM
2、集-射极击穿电压BUCEO
3、集电极最大允许耗散功率PCM第四节MOS场效应管（一）N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构（二）N沟道增强型MOS场效应管的工作原理二、特性曲线及主要参数转移特性表示的是漏极电流与栅源电压之间的关系：当UGS＜UT时，ID=0；当UGS=UT时；管子开始导通；当UGS＞UT时，ID随UGS的增大而增大。
输出特性表示的是当UGS为大于开启电压UT的某一数值时，漏极电流与漏源电压之间的关系。输出特性分为三个区域：可变电阻区、饱和区和击穿区。