硫化镉纳米线与单层硫化钼薄膜制备与器件研究.docx
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硫化镉纳米线与单层硫化钼薄膜制备与器件研究.docx
硫化镉纳米线与单层硫化钼薄膜制备与器件研究随着纳米技术的发展,纳米材料的制备与研究也逐渐引起人们的关注。硫化镉纳米线和单层硫化钼薄膜是纳米材料中较为重要的一类,因其优异的物性,被广泛应用于光电器件、电化学储能、催化反应等领域。本文将对硫化镉纳米线和单层硫化钼薄膜的制备方法、物性及其在器件方面的应用进行综述。一、硫化镉纳米线的制备与物性硫化镉纳米线是利用化学还原、溶液法、气相合成等方法制备的一种纳米材料。其中,以溶液法为代表的制备方法具有较高的可控性和重复性,因此在研究中得到广泛应用。以氢氧化镉和硫脲为原材
一种单层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明的公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1,通过使用真空管式炉设置三个温区,将硫粉置于一温区;将三氧化钼粉置于二温区;将衬底放在带盖的坩埚底部,然后将坩埚放置在三温区;步骤2,向真空管式炉中通载气;步骤3,将二温区加热到150~350℃,将三温区加热到150~350℃;步骤4,将二温区加热到580~800℃,得气态的MoO
一种单层二硫化钼薄膜的制备方法.pdf
本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法,属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备,制备过程包括如下步骤:将硫源、衬底置于管式炉的外管中,分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度;将二硫化钼源置于管式炉的内管中,加热二硫化钼源至第二温度,第二温度为500℃~550℃;通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底;通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底,在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜;第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解,与现有方法中需将钼源加热
单层二硫化钼的制备及光学性质研究.docx
单层二硫化钼的制备及光学性质研究摘要:单层二硫化钼是一种新型的二维材料,在光电学等领域具有广泛应用前景。本文通过热法和化学气相沉积法(CVD)两种方法制备了单层二硫化钼,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对制备的材料进行表征。通过紫外可见光谱和荧光光谱等光谱性质研究,探究了单层二硫化钼作为光电器件材料的应用潜力。关键词:单层二硫化钼,制备方法,光学性质,应用潜力引言:在二维材料中,单层二硫化钼具有很好的物理、化学、光学和机械性能,是一种极有应用前景的新型材料。它的独特性质让它在各种领域
一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜.pdf
本申请适用半导体材料技术领域,提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜,包括:将硫源和钼源置于加热装置内,于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量,分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,硫源放置于刚玉舟内;钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片,并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜,能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入,能极大减小干扰因素,其良好的亲水性亦能极大