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硅、锗半导体材料电子特性的力学调控研究综述报告
半导体材料是当前电子技术领域中最重要的材料之一，经过多年的发展，硅和锗半导体在电子工业中得到了广泛的应用。这些材料的电子特性一直是半导体物理研究的热点，因为掌握这些特性可以对半导体器件的性能进行有效的优化。本文将对硅和锗半导体材料的力学调控研究进行综述介绍。
一、硅半导体材料电子特性的力学调控研究
硅半导体是电子工业的核心材料，其电子特性的控制也是许多研究的热点问题。材料的力学调控是一种有效的手段，可以通过控制材料的形变来改变其电子特性。近年来，不同形式的硅材料的力学调控研究得到了广泛的关注和探究。
在硅材料的晶体缺陷方面，研究表明，通过外力引入位错可以改变硅材料的电子特性。文献[1]报道了通过压缩硅晶体，会在晶体中引入位错，从而改变其电子特性。压缩载荷所引起的位错材料形变，可以使硅材料中的电子能带发生倾斜甚至完全反转。此外，文献[2]还在硅纳米量子点上进行了力学调控，实现了量子点中的能带改变。
在硅基异质结的制备方面，材料的力学调控同样也具有相当的研究价值。文献[3]研究了硅基异质结的力学调控制备方法，通过微机电系统技术实现了硅基异质结的制备，以及对其电子特性的调节。
二、锗半导体材料电子特性的力学调控研究
与硅材料相比，锗材料的电学特性更为优秀，研究锗半导体材料的力学调控同样也是当前研究的热点。目前的研究表明，通过应力、变形等手段对锗材料进行力学调控可以改变其能带结构，从而改变其电子特性。
在锗基异质结的制备方面，通过力学调控来进行制备已成为一种有效的方法。文献[4]报道了一种利用微机电系统技术构建锗基异质结的方法，在制备过程中对锗晶体施加控制变形，控制其能带结构，从而实现锗基异质结的制备以及电子特性的调节。
此外，在锗材料应力调控方面，文献[5]研究了应力调控锗材料能带结构的方法和机制，通过对锗材料施加不同的应力，实现了其电子特性的调节。
总之，硅和锗半导体材料的力学调控研究是当前半导体物理研究的前沿热点。通过对材料形变的力学调控，可以改变其能带结构，从而达到调节电子特性的目的，对半导体器件的性能优化具有重要意义。