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硅、锗半导体材料电子特性的力学调控研究任务书
任务概述：
本次研究的任务是通过力学调控方法来研究硅、锗半导体材料的电子特性。硅、锗半导体材料是半导体电子学和微电子学领域中最为常见的材料，其在电子器件中起着至关重要的作用，因此研究其电子特性具有重要的理论和实际意义。本次研究将采用力学调控的方法，探究硅、锗半导体材料在不同受力下的电子特性变化规律，为进一步优化半导体材料的性能和应用提供理论依据和实验指导。
任务要求：
1.确定研究方案和方法：研究前需要制定详细的研究方案和实验方法设计，包括实验样品的选择、准备和制备等内容，力学调控的方法设计和实验方案的制定以及测量和分析数据等方面。
2.设计和制备实验样品：根据研究方案和方法，设计实验样品，选定合适的硅、锗半导体材料，实施样品制备，要求制备的实验样品具有一定的厚度和尺寸规范，并能够承受所施加的不同力学载荷。
3.采用力学调控方法施加载荷：根据研究方案和方法，采用各种合适的力学载荷施加到实验样品上，例如挠曲、拉伸、压缩等加载方式，以探究不同载荷下的硅、锗半导体材料的电子特性变化。
4.测量和分析样品性能：通过实验测试，测量、观察、分析样品在不同载荷下的电学性能、结构变化、表面形貌等特性，获取数据并进行分析，以深入了解力学调控对硅、锗半导体材料电子特性的影响规律。
5.提供理论依据和实验指导：通过上述实验测量和数据分析，得出硅、锗半导体材料电子特性在不同载荷下的规律，并提供相应的理论依据和实验指导，以为相关研究提供参考和指导。
6.文献综述：综述近年来与硅、锗半导体材料电子特性的力学调控相关的研究成果和进展，为本次研究提供理论和实践基础。
任务进度安排：
阶段1（1周）：研究方案和方法确定
阶段2（2周）：实验样品制备
阶段3（3周）：施加力学载荷和测试
阶段4（2周）：数据分析和结果讨论
阶段5（1周）：撰写研究报告和文献综述
总计任务周期：9周
任务成果要求：
1.研究报告：对研究方案和方法、实验制备、结果分析和讨论进行详细阐述，并说明该研究结果对半导体材料研究的意义和应用价值。
2.文献综述：综述当前硅、锗半导体材料电子特性的力学调控研究进展和成果，阐明该研究在未来的发展前景和应用领域。
3.发表论文：基于研究成果，发表1篇符合学术规范的学术论文，发表在具有影响力的学术期刊上。
参考文献：
1.P.S.Lysaght,J.P.O’Sullivan.“MechanicalDeformationEffectsonGe/SiQuantumDots”.JournalofAppliedPhysics,Vol.114,No.23,2017.
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3.K.M.Kim,W.J.Yoo,etal.“MechanicalandElectricalPropertiesofNanostructuredSi-GeCompositeWiresFarfromEquilibrium”.AdvancedElectronicMaterials,Vol.4,No.6,2018.
4.L.Zhao,L.Guo,etal.“MechanicaldeformationeffectontheelectronicstructureofSidopedgraphene”.SolidStateCommunications,Vol.247,No.5,2017.
5.J.Xiong,M.S.Lee,etal.“EffectofcyclicstressontheelectronicbandstructureofSi/SiGequantumdotmolecules”.JournalofAppliedPhysics,Vol.125,No.14,2019.