MOS管检验规范可编辑范本.doc
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MOS管检验规范可编辑范本.doc
直插型MOS管检验规范目的:为保证本公司所生产的产品质量,严格把关来料质量,特制定适应本公司的检验规范,其目的是使MOS管来料符合本公司的产品需求,保证公司所购直插型MOS管的质量符合要求。适用范围:本检验规范适合本公司所有来料的直插型MOS管.3、抽检标准:GBGB/T2828.1—2003/ISO28895—1:19994、检验内容:4。1测试工具及仪表:万用表,150mm游标卡尺,可调温恒温烙铁,测力计,电源,PCB板。4.2判定标准分类及定义:A:单位产品的质量特性符合规定。B:单位产品的一般质量
mos管ds反接的问题可编辑范本.doc
mos管d、s反接的问题P沟道的,本来就是MOS管本身里有一个体二极管,是D级到S级,就按沟道不打开,电流不经过沟道过去,也可以先过它的体二极管到S级的。S级有高电平后,不就S大于G了吗?这时候沟道不就打开了?电流就开始走沟道,而不走体二极管了如果D加正电位当然电流从D流向S,而S加正电位对于NMOS管是不推荐的。因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极,G/D/S和B衬底Bulk。虽然说NMOS电流可以从D流向S也可以从S流向D,但是衬底B应该接最低电位,对于N管就是负电位,对于P管就是正电位。也就是说
MOS管的米勒效应-讲的很详细可编辑范本.doc
米勒效应的影响:MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后,MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了
mos管驱动电流计算可编辑范本.doc
第一种:可以使用如下公式估算:Ig=Qg/Ton其中:Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod(可在datasheet中找到)第二种:(第一种的变形)密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig;Ig=[Vb—Vgs(th)]/Rg;Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;第三种
FQC检验规范可编辑范本.doc
FQC检验规范流程1。最终检验程序(FQC)1。1目的:对产品出厂前检验/试验,确保产品质量满足客户要求。1.2范围:产品检验和试验。1。3责任:除已指定之外,品质主管负责以下程序中的所有运作。1。4最终检验流程图:(见下页)1.5最终检验员(FQC)须具备资格条件:1.5.1高中、中专或以上文化程度;1.5.2熟悉产品装配工艺及客户品质要求;1。5.3受过3C及有关成品检验培训并考核合格。1.6FQC职责和权限:1。6.1按《FQC检验规范流程》对成品进行检验;1。6.2记录和保存检验数据;1。6。3对