mos管驱动电流计算可编辑范本.doc

第一种:
可以使用如下公式估算：
Ig＝Ｑg/Tｏｎ
其中:
Tｏn=ｔ３-ｔ0≈td（oｎ)+ｔr
tｄ(ｏｎ）：MＯＳ导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VＤS下降到其幅值9０%的时间。
Tr:上升时间．输出电压VDS从9０％下降到其幅值1０％的时间
Qg＝（ＣＥI)（ＶGS）或Qｇ=Qgs+Qgd+Qｏd（可在dａｔａsｈeet中找到）
第二种:(第一种的变形）
密勒效应时间（开关时间)Ton/oｆｆ=Qgｄ／Ig;
Ig＝［Ｖb—Vgｓ(th)]/Rｇ；
Ig：MＯS栅极驱动电流;Vb：稳态栅极驱动电压;
第三种:
以ＩR的IRF640为例,看ＤAＴAＳHEET里有条ToｔaｌGateＣｈarge曲线．该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应）假定你希望在０．2us内使管子开通,估计总时间（先上升然后水平再上升）为0。４ｕs,由Qg＝6７nＣ和0。4us可得:67nC/0。４us=０．16７5A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。2ｕs里有电流,其他时间几乎没有电流,平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢．