SiC MOSFET功率模块中压测试平台研制及其应用.docx
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SiCMOSFET功率模块中压测试平台研制及其应用摘要:SiC(碳化硅)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率模块在功率电子领域具有广泛的应用前景。本论文研究了SiCMOSFET功率模块的压力测试平台的研制及其应用。首先介绍了SiCMOSFET的特点和应用领域,然后详细介绍了压力测试平台的设计和制备过程。接着,通过实验验证了该平台的性能并分析了测试结果。最后,将该平台应用于某个具体的实际项目中,并总结了该平台的应用价值和前景。关键词:SiCMOSFET;功率模块;压力测试平台;应用第一章引言1.
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SiCMOSFET功率模块中压测试平台研制及其应用的开题报告一、研究背景针对现代电力电子中频繁出现的高频交流变流技术常使用的硅材料存在瓶颈问题,而硅碳化物(SiC)材料近年来因其优异的物理和化学性能,如高电子迁移率、高击穿场强等,被广泛应用于高功率、高压、高温的电力电子领域。SiCMOSFET功率模块由于其具有低导通损耗、低开关损耗、高温性能好、高速开关等优异特点,已经成为当前高性能和高效率换流器的首选,越来越多地应用于电力电子中。SiCMOSFET功率模块在实际应用中需要经过各种环境下的测试,例如高温测
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大功率SiCMOSFET半桥模块高温特性及其在变换器中的应用研究的开题报告一、研究背景和意义在当前的电力电子技术研究中,高功率密度、高效率和高温度工作能力是当今电力电子应用中比较重要的技术趋势。而SiC(碳化硅)材料由于其高热导率和宽的能隙宠物了其在高温度下的优越性能,因而被广泛应用在高温、高压、高功率密度的场合中,SiCMOSFET作为SiC功率器件的代表产品已在众多应用中显示出优良的性能和应用前景。在高功率应用中,为了方便控制和降低开关损耗,通常采用半桥拓扑结构,使MOSFET和反并联二极管搭配工作,