场效应管及其放大电路4.ppt

第3章场效应管及其放大电路第3章场效应管及其放大电路１、结构：5S源极S源极２、工作原理（以N沟道为例）vDS=0时10vGS=0且vDS>0时耗尽区的形状当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。（3）G、S加负电压，D、S加正电压：NNvGS<VpvGD=VP时3.2.2JFET的特性曲线及参数：vGS2、输出特性曲线予夹断曲线①输出特性曲线可变电阻区夹断区(a)漏极输出特性曲线(b)转移特性曲线
N沟道结型场效应三极管的特性曲线P沟道结型场效应管的特性曲线输出特性曲线结型场效应管的特性比较结型场效应管的缺点：§3.1MOS场效应管及其特性3.1.1N沟道增强型MOSFET312、工作原理PUGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。PP3、V-I特性曲线及大信号特性方程

（2）输出特性曲线三个区：N沟道耗尽型特性曲线：输出特性曲线饱和区内：3.1.3P沟道MOSFETiD增强型MOS管特性比较二、P沟道耗尽型耗尽型MOSFET的特性比较绝缘栅
增强
型3.1.4沟道长短调制效应1、夹断电压VP或开启电压VT：
2、饱和漏极电流IDSS:
3、直流输入电阻RGS（DC）：栅压除栅流使用时：1）一般D、S可以互换
2）谨防击穿双极型三极管与场效应三极管的比较场效应三极管的型号几种常用场效应三极管的主要参数1、直流偏置及静态工作点的计算：IDSS是饱和漏电流(2)分压式自偏压电路２、图解分析法：iD各点波形低频模型①电压放大倍数：小信号等效电路例2：共漏放大电路：(3)输出电阻:(1)直流分析

与共源组态放大电路相同。交流参数归纳如下组态对应关系CE/CB/CCCS/CG/CD组态对应关系CE/CB/CCCS/CG/CD组态对应关系CE/CB/CCCS/CG/CD