场效应管及其放大电路.ppt
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第三章场效应管及其放大电路第三章场效应管及其放大电路一.场效应管的分类1.基本结构图3.1是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图。利用栅源电压uGS的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流iD的大小。分析:主要讨论uGS对iD的控制作用。(1)当uGS=0时(见图3.2a),不论所加电压uDS的极性如何,其中总有一个PN结是反向偏置的,反向电阻很高,则漏极电流iD≈0。(2)当栅源极之间加正向电压uGS(见图3.2b),(3)当栅极与源极之间加正向电压uGS≥UT时(见图3.2c),被吸
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二、场效应管及其放大电路1、概述1.3场效应管与晶体三极管的比较(1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,因此对于信号源额定电流极小的情况下,常选用场效应管。(2)场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电,单少子受环境影响明显。(3)场效应管和晶体管一样具有放大作用,而且这两种放大元件间存在着电极的对应关系G-b,S-e,D-c。因此根据晶体管电路即可得到与之对应的场效应管放大电路。场效应管除作放大器件及可控开关外,还可以作为压控可变线性电阻使用。
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场效应管及其放大电路在学完三极管基本放大电路后,为进一步提高放大电路的输入电阻,适应多极放大电路的要求,学习以场效应管组成的放大电路是十分必要的。本章主要介绍场效应管组成的两种放大电路:共源极放大电路和共漏极放大电路。本章主要内容:HYPERLINK"http://jpkc.lit.edu.cn/md/md/jiaoan/chap-4.htm"\l"item41#item41"4.1场效应管HYPERLINK"http://jpkc.lit.edu.cn/md/md/jiaoan/chap-4.h
场效应管及其放大电路2.ppt
第8章场效应管及其放大电路8.1绝缘栅型场效应管2.N沟道增强型MOSFET的工作原理当vDS=0且vGS>0时,由于栅极和源极之间、栅极和漏极之间均被SiO2绝缘层隔开,所以栅极电流为零。在vGS<VT时,N沟道MOS管不能形成导电沟道,管子处于截止状态。(2)vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响(b)vDS较小(vDS<vGS-VT)时,iD随vDS变化;(c)vDS增大到vDS=vGS-VT时,预夹断(d)vDS>vGS-VT时,iD饱和结论:MOS管的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电,这与M