场效应管及其放大电路.ppt
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二、场效应管及其放大电路1、概述1.3场效应管与晶体三极管的比较(1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,因此对于信号源额定电流极小的情况下,常选用场效应管。(2)场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电,单少子受环境影响明显。(3)场效应管和晶体管一样具有放大作用,而且这两种放大元件间存在着电极的对应关系G-b,S-e,D-c。因此根据晶体管电路即可得到与之对应的场效应管放大电路。场效应管除作放大器件及可控开关外,还可以作为压控可变线性电阻使用。
场效应管及其放大电路.pptx
第三章场效应管及其放大电路第三章场效应管及其放大电路一.场效应管的分类1.基本结构图3.1是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图。利用栅源电压uGS的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流iD的大小。分析:主要讨论uGS对iD的控制作用。(1)当uGS=0时(见图3.2a),不论所加电压uDS的极性如何,其中总有一个PN结是反向偏置的,反向电阻很高,则漏极电流iD≈0。(2)当栅源极之间加正向电压uGS(见图3.2b),(3)当栅极与源极之间加正向电压uGS≥UT时(见图3.2c),被吸
场效应管及其放大电路4.ppt
第3章场效应管及其放大电路第3章场效应管及其放大电路1、结构:5S源极S源极2、工作原理(以N沟道为例)vDS=0时10vGS=0且vDS>0时耗尽区的形状当VDS继续增加时,预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大,使主要VDS降落在该区,由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极,形成漏极饱和电流。(3)G、S加负电压,D、S加正电压:NNvGS<VpvGD=VP时3.2.2JFET的特性曲线及参数:vGS2、输出特性曲线予夹断曲线①输出特性曲线可变电阻区夹断区(a)
场效应管及其放大电路2.ppt
第8章场效应管及其放大电路8.1绝缘栅型场效应管2.N沟道增强型MOSFET的工作原理当vDS=0且vGS>0时,由于栅极和源极之间、栅极和漏极之间均被SiO2绝缘层隔开,所以栅极电流为零。在vGS<VT时,N沟道MOS管不能形成导电沟道,管子处于截止状态。(2)vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响(b)vDS较小(vDS<vGS-VT)时,iD随vDS变化;(c)vDS增大到vDS=vGS-VT时,预夹断(d)vDS>vGS-VT时,iD饱和结论:MOS管的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电,这与M