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电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(二)：实验研究
电极结构与空间布置是影响压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的重要因素。本文将通过实验研究，探讨电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响。
一、实验目的与原理
本实验旨在研究不同电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响。压接型IGBT器件是由多个芯片组成，通过并联的方式提高了器件的电流承载能力。而多芯片并联的均流性能对整体性能的稳定性和可靠性具有重要影响。
在压接型IGBT器件的电极结构中，主要包括上、下主极和芯片之间的插片连接电极。电极结构的设计和制造工艺直接影响着电极与芯片的接触质量和电流承载能力。而空间布置则涉及到芯片之间的距离和排列方式，通过合理的空间布置能够有效平衡电流在芯片间的分配。
二、实验步骤与装置
本实验采用压接型IGBT器件，并设置不同的电极结构和空间布置，对比其对多芯片并联均流性能的影响。
1.制备不同电极结构的IGBT器件样品。我们将设计并制造三组样品，分别是传统电极结构样品、增强电极结构样品和改良电极结构样品。
2.对比不同电极结构样品在不同工作条件下的多芯片并联均流性能。我们将在不同电流和温度下测试并记录每个样品的多芯片并联电流分布情况。
3.基于实验结果，分析不同电极结构样品的优缺点并提出改进建议。
4.设置不同空间布置方式的样品。我们将设计并制造三组样品，分别是紧凑布置样品、均匀布置样品和优化布置样品。
5.对比不同空间布置样品在不同工作条件下的多芯片并联均流性能。我们将在不同电流和温度下测试并记录每个样品的多芯片并联电流分布情况。
6.基于实验结果，分析不同空间布置样品的优缺点并提出改进建议。
实验装置主要包括电流源、电压源、温度控制系统和数据采集系统等。
三、实验结果与讨论
在实验中，我们得到了不同电极结构和空间布置样品在不同工作条件下的多芯片并联均流性能数据。通过对比分析，我们可以得出以下结论：
1.传统电极结构样品的均流性能较差，存在电流不均匀分布的问题。这主要是由于接触电阻较大和电流流向不合理导致的。
2.增强电极结构样品通过改进电流流向和增加导电面积等措施，改善了其均流性能。但是在高温条件下，由于材料热膨胀系数不一致导致的失配问题对均流性能产生了一定的影响。
3.改良电极结构样品通过优化设计，解决了增强电极结构样品的失配问题，并进一步提升了其均流性能。该样品在各种工况下表现出较好的均流性能和稳定性。
4.紧凑布置样品由于芯片之间距离较近，导致电流分布不均匀。均匀布置样品通过增加芯片之间的间隔，有效改善了均流性能。优化布置样品在综合考虑芯片之间的间隔和接触电阻的基础上，实现了更好的均流效果。
四、结论
通过实验研究，我们可以得出以下结论：
1.电极结构对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流性能具有重要影响。合理设计和制造电极结构能够提高电流承载能力和均流性能。
2.改进电极结构对提高均流性能具有积极作用。增加导电面积和优化电流流向能够减小接触电阻和提高均流效果。
3.空间布置对多芯片并联均流性能也有显著影响。合理的芯片间距离和排列方式能够实现电流的均匀分布。
在今后的研究和应用中，我们应该进一步优化电极结构和空间布置，提高压接型IGBT器件的多芯片并联均流性能，以满足实际工作条件下的需求。同时，我们还应该关注压接型IGBT器件的可靠性和稳定性，以提高整体性能。