高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联均流与振荡特性研究的开题报告.docx

高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联均流与振荡特性研究的开题报告
一、研究背景及意义
随着现代工业技术的迅速发展，高压大功率器件的要求也变得越来越高。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种结构复杂、特性较为优越的半导体器件，它在电力电子、变频调速、电动汽车、高压直流输电等领域得到了广泛应用。但是，在高压大功率电路中，单个IGBT器件的容量已经远远不能满足要求，而多芯片并联对于增加电路容量、提高电子器件的可靠性有着重要的作用。
多芯片并联情况下，电流在多个器件之间分流，如果不做调节，各器件之间可能产生不一致，导致电流不平衡，从而影响电子器件的稳定性。因此，如何使IGBT多结件并联电路中的多芯片之间实现均流是解决多芯片电流平衡的关键问题。
同时，当多个IGBT器件并联时，也会存在振荡的问题。有的情况下，由于IC及某些元器件影响，振荡现象出现，这对电路稳定性也有很大的影响。因此，研究IGBT多芯片并联均流与振荡特性，提高IGBT的应用性能，对于电气工程研究领域具有重要的意义。
二、研究内容
1.IGBT多芯片并联电路的搭建：本论文将在实验室条件下，搭建高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联电路实验平台。之后进行相关实验研究。
2.IGBT多芯片并联电路均流特性研究：通过多芯片并联电路均流特性的实验研究，探究多芯片并联电路的均流机理，建立多芯片并联电路均流的关键参数模型，为后续的实验研究和深入分析振荡现象提供依据。
3.IGBT多芯片并联电路振荡特性研究：进行相关实验研究，探究多芯片并联电路总体振荡产生的原因，分析振荡频率、振荡幅值等关键参数的变化规律。同时，通过优化电路结构、调节负载等策略，解决多芯片并联电路振荡问题。
三、研究方法
1.因为多芯片并联电路均流的关键参数模型需要通过实验研究得出，因此将采用实验法研究多芯片并联电路均流特性。
在实验中，针对不同参数，如负载和温度等进行实验，并根据实验结果进行数据统计和分析，得到高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联均流的特性参数模型。同时，根据模型优化电路，以提高电路的均流能力。
2.为了能够进行振荡特性的研究，将根据均流特性参数模型的结果，建立高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联电路，并使用实验法进行研究。具体来说，在实验过程中，通过频谱分析和波形分析，分析多芯片并联电路振荡的原因，并在此基础上开展优化实验。
3.此外，为了更好的解决IGBT多芯片并联电路的均流与振荡问题，还将通过理论分析和系统建模等方法，探究多芯片并联电路的内部机理和原理，为后续实验研究提供支持和指导。
四、预期成果
1.完成高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联均流与振荡特性研究的相关实验工作。
2.建立多芯片并联电路均流关键参数模型，为IGBT电路均流的优化提供理论分析基础。
3.深入探讨多芯片并联电路中振荡的机理原理，建立多芯片并联电路的原理模型，并开展优化实验。
4.撰写研究报告，介绍研究的理论和实验方法，阐述研究成果和结论，在电气工程领域获得一定的研究成果和贡献。
五、结论
本次研究将采用实验法、理论研究、系统建模等方法，探讨高压大功率压接型IGBT器件内部的多芯片并联均流与振荡特性，这对于IGBT器件的稳定性和电子设备的实际应用将产生积极的作用与意义。同时，研究成果的应用，也可以为电力电子、变频调速、电动汽车、高压直流输电等相关领域的发展提供支持和推动。