晶圆激光开槽工艺研究.docx
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晶圆激光开槽工艺研究晶圆激光开槽工艺研究摘要:激光开槽技术是制造半导体器件的重要工艺之一。本论文通过研究晶圆激光开槽工艺,探讨了激光开槽的原理、优势以及未来的发展方向。实验结果表明,激光开槽工艺具有高加工精度、低损伤以及高效率等优点,可以满足现代半导体器件制造的需求。未来,我们可以进一步研究提高激光开槽工艺的效率和稳定性,以及探索更多应用领域,从而推动半导体器件制造的发展。关键词:晶圆,激光开槽,工艺研究,半导体器件1.引言晶圆激光开槽技术是半导体器件制造中常用的加工方法之一。它通过使用激光束对晶圆进行开
晶圆激光开槽工艺.pdf
晶圆激光开槽工艺一、引言晶圆激光开槽工艺是半导体器件制造过程中的关键步骤之一。它用于在晶圆上切割出单个芯片,为后续的封装和测试提供基础。本文将详细介绍晶圆激光开槽工艺的步骤、设备和参数设置。二、工艺步骤1.晶圆准备需要准备好待加工的晶圆。这包括选择合适的硅片材料,进行表面清洁和平坦度检查等步骤。确保晶圆表面没有杂质和缺陷是保证加工质量的重要前提。2.激光切割机设置将待加工的晶圆放入激光切割机中,并根据芯片设计要求进行相应的设定。这包括选择合适的切割模式(如连续模式或脉冲模式)、功率密度、扫描速度等参数。3
全自动晶圆紫外激光开槽设备.pdf
本发明公开了全自动晶圆紫外激光开槽设备,包括机台以及设于机台上的供料装置、作业平台装置、进料装置、激光装置、第一CCD装置、第二CCD装置、出料装置、码垛装置、抛废装置。本设备中,由供料装置负责提供工件,提供工件后,构件被进料装置输入作业平装置的盘体中,工件在盘体上进行激光加工,在加工前,第一CCD装置配合第二CCD装置对工件的上下表面进行视觉定位,视觉定位后被上方的激光装置进行加工,在工件的表面雕刻槽体,出料装置、码垛装置、抛废装置则负责出料工作。本设备利用上下CCD识别系统,双面精度可以控制在5‑10
一种用于晶圆加工的激光开槽设备.pdf
本发明涉及一种用于晶圆加工的激光开槽设备,包括壳体架、激光开槽模块、晶圆定位模块和输送带,所述壳体架截面呈矩形空心结构,壳体架内部上端安装有激光开槽模块,壳体架中部安装有晶圆定位模块,晶圆定位模块下方设置有输送带,输送带安装在壳体架内部。本发明可以准确实现对晶圆进行定位的功能,当晶圆放置在定位槽内部时,多个定位单元同时向内推动,使得晶圆可以准确的处于定位槽正中心,进而可以针对不同尺寸的晶圆进行加工。
紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究.docx
紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究近年来,磷化铟晶圆作为新型半导体材料,逐渐受到人们的关注和青睐。而紫外激光切割作为一种高效、高精度的加工技术,在材料加工领域有着广泛的应用。本文主要从紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺流程、优势和应用等方面进行研究和探讨。一、紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺流程1.前期准备工作:在进行磷化铟晶圆的紫外激光切割之前,需要做一些前期准备工作,包括晶圆检查、选择切割模板、计算切割参数等。2.制作切割模板:制作切割模板需要根据需求来选择所需切割的形状和大小。同时,根据晶圆的厚度和硬度等性能,