MOSFET原理功率MOS及其应用.ppt

MOSFET原理介绍与应用内容概述耗尽型1原理介绍MOS场效应管一、N沟道增强型MOS场效应管结构当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。
当VGS=VT时,在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。当VDS增加到使VGD=VT时，三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构耗尽型MOS管耗尽型MOS管各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管场效应管的主要参数7.低频跨导gm：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。2场效应管放大电路为什么要设定一个静态工作点一、场效应管偏置电路偏置电路偏置电路二、场效应管的低频小信号模型三、三种基本放大电路基本放大电路基本放大电路ri基本放大电路基本放大电路基本放大电路组态对应关系：功率MOSFET功率MOS结构a、在gate区有一个V型凹槽，这种设计会有制造上的稳定问题，同时，在V型槽的尖端也会产生很高的电场，因此VMOS元件的结构逐渐被DMOS元件的结构所取代。寄生三极管：
MOS内部N+区，P-body区，N-区构成寄生三极管，当BJT开启时击穿电压由BVCBO变成BVCEO（只有BVCBO的50%到60%），这种情况下，当漏极电压超过BVCEO时，MOS雪崩击穿，如果没有外部的漏极电流限制，MOS将被二次击穿破坏，所以，要镀一层金属来短接N+区和P-body区，以防止寄生BJT的开启。
在高速开关状态，B、E间会产
生电压差，BJT可能开启。MOSFET开关过程MOSFET导通过程4个过程充电等效电路t0～t1：t0时刻给功率MOSFET加上理想开通驱动信号，栅极电压从0上升到门限电压VGS(th)，MOSFET上的电压电流都不变化，CGD很小且保持不变。T2～T3：T2时刻VDS下降至接近VGS，CGD开始急剧增大，漏极电流ID已接近最大额定电流值。随着VDS减小至接近于通态压降，CGD趋于最大值(T3时刻)。在此过程中，一方面CGD本身很大，另一方面K绝对值很大，由于密勒效应，等效输入电容Cin23非常大，从而引起栅极平台的出现，栅极电流几乎全部注入CGD，使VDS下降。密勒效应MOSFET参数静态电特性动态电特性功率损耗驱动电路MOSFET驱动器的功耗
1.PC=CG×VDD²×F=QG×V×F
CG=MOSFET栅极电容
VDD=MOSFET驱动器电源电压（V）
F=开关频率
QG=栅极总电荷
2.PQ=(IQH×D+IQL×(1-D))×VDD
IQH=驱动器输入为高电平状态的静态电流
D=开关波形的占空比去
IQL=驱动器输入为低电平状态的静态电流
3.PS=CC×F×VDD
CC=交越常数（A*sec）其它MOSFET应用显卡电源converter谢谢！