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体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅制备技术研究的任务书
任务书
一、任务背景和目的
随着科技的发展，半导体材料的应用领域越来越广泛。特别是在微电子学和光电子学领域，对于新型半导体材料的研究与开发具有重要的意义。本次任务将研究体硅及绝缘体上应变硅和应变锗硅的制备技术，旨在深入了解这些材料的物理性质和应用潜力，为其在半导体器件领域的应用提供有效的技术支持。
二、研究内容
1.对体硅的制备技术进行研究和分析。包括对硅材料的制备方法、晶体生长技术、晶体结构和性质等方面的研究，深入了解体硅的物理性质和制备工艺。
2.对应变硅的制备技术进行研究和分析。包括应变硅在硅基半导体器件中的应用潜力、制备方法、制备参数的优化等方面的研究，探索应变硅的物理特性和制备工艺。
3.对应变锗硅的制备技术进行研究和分析。包括应变锗硅在半导体器件中的应用前景、制备技术的改进和优化等方面的研究，深入了解应变锗硅的物理特性和制备工艺。
4.对体硅、应变硅和应变锗硅材料的性能评估和测试方法进行研究和建立。包括对材料的结构和电学性能进行测试和分析，评估其在半导体器件中的应用潜力。
三、研究方法和计划
1.文献调研：对体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅的制备技术、性质和应用等方面的文献进行调研，了解已有的研究成果和技术进展。
2.材料制备：采用相关的实验技术和设备，制备体硅、应变硅和应变锗硅样品，并对制备工艺进行优化。
3.材料测试：利用适当的实验手段和测试方法，对制备的材料样品进行结构和性能测试，并进行数据分析和评估。
4.结果分析与总结：根据实验结果和理论的分析，对体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅的制备技术和性质进行分析和总结，提出进一步研究和应用的建议。
五、时间安排
任务的时间安排如下：
第一阶段（一个月）：文献调研，熟悉已有的研究成果和相关技术。
第二阶段（两个月）：材料制备和测试，对体硅、应变硅和应变锗硅材料进行制备和测试。
第三阶段（一个月）：结果分析与总结，对实验结果进行分析和总结，提出进一步研究和应用的建议。
六、预期成果
1.完成对体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅制备技术的研究，深入了解其物理性质和制备工艺。
2.建立体硅、应变硅和应变锗硅材料的性能评估和测试方法。
3.提出体硅、应变硅和应变锗硅在半导体器件领域的应用潜力和技术支持。
4.撰写研究报告，总结研究过程和结果，对材料的性质和应用进行深入讨论。
七、经费预算
本研究的经费预算主要包括实验材料的采购费用、实验设备的使用费用和实验人员的工资。
八、参考文献
1.J.R.Weber.StrainedSi,SiGe,andGealloysformicroelectronics.Semicond.Sci.Technol.,17,R29(2002).
2.D.ErikssonandR.L.Gunshor.III-VsReview:AReviewofAppliedPhysicsandTechnologyofInfrareDetectors.26,106(2003).
3.M.Copeletal.ImpactofSiGemodestrainontheperformanceofCMOSdevices.J.Appl.Phys.,83,362(1998).
4.J.Liu,J.D.PlummerandS.P.Philipossian.HighStrainedSi1-XGeXdepositedepitaxiallyonsiliconbyultrahighvacuumchemicalvapordeposition.Appl.Phys.2003.