NiO纳米片阵列的制备方法及应用进展.docx
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NiO纳米片阵列的制备方法及应用进展.docx
NiO纳米片阵列的制备方法及应用进展标题:NiO纳米片阵列的制备方法及应用进展摘要:本论文主要研究了NiO纳米片阵列的制备方法及其在能源存储和催化领域的应用进展。首先介绍了NiO纳米片阵列的制备方法,包括溶剂热法、水热法、模板法等,对比了它们的优缺点,并详细阐述了制备过程中的关键参数和影响因素。然后,探讨了NiO纳米片阵列在超级电容器、锂离子电池和催化反应等能源存储与转化领域的应用现状,并分析了其在性能优化和应用拓展方面的潜力和挑战。最后,展望了NiO纳米片阵列的未来发展方向和研究重点。关键词:NiO纳米
一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法.pdf
本发明公开了一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法,该方法为:一、制备具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片;二、将具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片置于水热反应釜中利用蒸汽进行热处理,得到Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜;三、薄膜浸渍;四、干燥;五、将干燥后的Ni基NiO纳米片阵列薄膜置于通有惰性气体的管式炉中进行热处理,得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极。采用本发明的方法制备的Ni基NiO纳米片阵列薄膜作为超级电容器的正极材料使用时,其比电容是未经改性处理的Ni基NiO纳米片阵列薄膜的2.0~3.2倍
纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法.pdf
本发明公开了一种纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法。其中,纳米阵列制备系统包括:激光器,用于生成激光,并用于在基板的第一路径辐照生成第一纳米阵列;控制器,与激光器连接;位移台,用于承载基板;其中,激光器包括光束整形模块,光束整形模块用于生成平顶线聚焦光束;控制器还用于控制位移台移动预设距离,以使激光在基板的第二路径辐照生成第二纳米阵列;其中第一纳米阵列与第二纳米阵列间呈现交错排布,并在连续扫描中生成类蜂窝状的二维纳米结构。本发明的纳米阵列制备方法能够实现纳米阵列的高效大面积制备。
一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法.pdf
本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法,包括:在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层;在该Ni层上涂敷光刻胶层,利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域,在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni,采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀,将衬底表面生长的Ni层刻掉,只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列;将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中,通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来;将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化,得到Pt
一种原位制备NiO纳米片薄膜材料的方法.pdf
一种基于原位生长在镍基体上制备NiO纳米片薄膜材料的方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;其次,配制水性电解液,原料为碳酸盐,其浓度为10‑300g/L;然后,将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中,并密封反应釜,再将反应釜置于马弗炉中在150‑250℃进行水热反应10‑96小时,使得金属镍表面发生氧化反应生成前驱体薄膜;最后,将水热后的电极取出、清净、干燥,并置于加热炉中在250‑500℃下进行脱水热处理,即获得原位生长的NiO纳米片薄膜材料。本发