纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114221208A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111367350.8(22)申请日2021.11.18(71)申请人南方科技大学地址518055广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号(72)发明人徐少林黄佳旭徐康(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205代理人洪铭福(51)Int.Cl.H01S5/02253(2021.01)H01S5/02255(2021.01)H01S5/0239(2021.01)权利要求书1页说明书9页附图3页(54)发明名称纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法(57)摘要本发明公开了一种纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法。其中，纳米阵列制备系统包括：激光器，用于生成激光，并用于在基板的第一路径辐照生成第一纳米阵列；控制器，与激光器连接；位移台，用于承载基板；其中，激光器包括光束整形模块，光束整形模块用于生成平顶线聚焦光束；控制器还用于控制位移台移动预设距离，以使激光在基板的第二路径辐照生成第二纳米阵列；其中第一纳米阵列与第二纳米阵列间呈现交错排布，并在连续扫描中生成类蜂窝状的二维纳米结构。本发明的纳米阵列制备方法能够实现纳米阵列的高效大面积制备。CN114221208ACN114221208A权利要求书1/1页1.纳米阵列制备系统，应用于基板，其特征在于，包括：激光器，用于生成激光，并用于在所述基板的第一路径辐照生成第一纳米阵列；控制器，与所述激光器连接；位移台，用于承载所述基板；其中，所述激光器包括光束整形模块，所述光束整形模块用于生成平顶线聚焦光束；所述控制器还用于控制所述位移台移动预设距离，以使所述激光在所述基板的第二路径辐照生成第二纳米阵列；其中，所述第一纳米阵列包括多个第一纳米子阵列，所述第二纳米阵列包括多个第二纳米子阵列；相邻所述第一纳米子阵列间隔第一间距，所述第二纳米子阵列与对应的所述第一纳米子阵列在第二路径的垂直方向上间隔第二间距，所述第二间距为第一间距的一半。2.根据权利要求1所述的纳米阵列制备系统，其特征在于，还包括：成像装置，与所述激光器连接，用于采集所述激光器加工所述基板的图像；其中，所述控制器还用于根据所述图像计算得到所述预设距离，所述控制器根据所述预设距离控制所述位移台移动。3.根据权利要求2所述的纳米阵列制备系统，其特征在于，所述成像装置包括：LED光源，用于发出单色光；成像透镜组，与所述LED光源连接，用于将所述单色光照射至所述基板上，并收集反射光；CMOS相机，与所述成像透镜组连接，用于获取所述反射光并生成所述图像。4.纳米阵列制备方法，应用于如权利要求1至3任一项所述的纳米阵列制备系统，其特征在于，所述纳米阵列制备方法包括：控制所述激光器生成激光；根据所述激光在所述基板的第一路径辐照生成第一纳米阵列；控制所述位移台移动预设距离，以使所述激光在所述基板的第二路径辐照生成第二纳米阵列；其中，所述第一纳米阵列包括多个第一纳米子阵列，所述第二纳米阵列包括多个第二纳米子阵列；相邻所述第一纳米子阵列间隔第一间距，所述第二纳米子阵列与对应的所述第一纳米子阵列在第二路径的垂直方向上间隔第二间距，所述第二间距为第一间距的一半。5.根据权利要求4所述的纳米阵列制备方法，其特征在于，所述预设距离在预设阈值区间内。6.根据权利要求4所述的纳米阵列制备方法，其特征在于，所述激光为线光源。7.根据权利要求4所述的纳米阵列制备方法，其特征在于，所述激光沿所述第二路径辐照的光斑与所述第一纳米阵列至少部分重叠。8.根据权利要求7所述的纳米阵列制备方法，其特征在于，所述第一纳米阵列与对应的所述第二纳米阵列形成纳米阵列组；所述纳米阵列组包括多个所述第一纳米子阵列和多个所述第二纳米子阵列；所述纳米阵列制备方法还包括：控制所述基板移动预设距离，再次执行步骤控制所述激光器生成所述激光，以使所述激光在所述基板上辐照生成所述纳米阵列组。2CN114221208A说明书1/9页纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法技术领域[0001]本发明涉及纳米阵列制备技术领域，尤其涉及一种纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法。背景技术[0002]纳米阵列作为一种周期性表面结构，由于其特殊的光学性能被广泛应用于各种领域。[0003]然而，相关技术中，仍然难以实现均匀纳米阵列的高效大面积制备。发明内容[0004]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种纳米阵列制备系统及纳米阵列制备方法，能够实现纳米阵列的高效大面积制备。[0005]第一方面，本申请提供了一种纳米阵列制备系统，应用于基板，包括：激光器，用于生成激光，并用于在所述基板的第一路径辐照生成第一纳米阵列；控制器，与所述激光器连