LED芯片制造工艺基础培训-PPT.ppt

LED芯片制造工艺基础培训LED种类LED构造认识制造二部LED芯片制程简表为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触，在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业
（1）ITO蚀刻液去除铟球
（2）511具有极强的氧化性，能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子
（3）稀HCl外延表面去除金属离子大家应该也有点累了，稍作休息光刻胶的主要成分：
Resin:Filmmaterial(Polymer):酚醛树脂，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中的
PAC:PhotoActiveCompound,光敏化合物，最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。
Solvent::醋酸溶剂，提高流动性离子化Cl2+BCl3去胶、清洗为了电流更好地扩展到芯片的整个面域，增加发光区，并且不能挡住光的射出，需要蒸镀一层导电且透光的薄膜——ITO.匀正胶E-Gun蒸镀出来的ITO薄膜存在晶格缺陷，在N2气保护下进行高温退火处理，可有效修复ITO薄膜中的晶格缺陷，消除内应力，改善膜的透光率与面阻值匀负胶离子化O2蒸镀速率、功率、转盘速率、腔体温度等条件都会影响到产品的外观与品位。采用蓝膜粘附剥离，剥离过程中易产生静电，因此操作中配有2台离子风扇与静电手环。离子化SiH4+N2O匀正胶检测项目：
1、光电参数是否正常
2、电极的牢固性
3、电极与焊球的剪切力
4、SiO2的粘附力
5、全检外观是否存在缺陷检测项目：
1、光电参数是否正常
2、电极的牢固性
3、电极与焊球的剪切力
4、SiO2的粘附力
5、全检外观是否存在缺陷LED制程主要步骤模型认识制造流程卡