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晶闸管与IGBT换流阀对控制电路近场电磁骚扰特性的研究的中期报告
摘要：
本文对比研究了晶闸管和IGBT换流阀在控制电路中的近场电磁骚扰特性。通过实验测试和数据分析，发现晶闸管比IGBT换流阀更容易产生近场电磁骚扰，特别是在高频率控制电路中。为了消除或减少骚扰，本文还提出了一些可行的措施和建议。
关键词：
晶闸管，IGBT换流阀，近场电磁骚扰，控制电路
正文：
一、研究背景
近年来，随着电子元器件的不断发展和应用，各种控制电路也越来越多、越来越复杂，从而给电磁兼容（EMC）带来了越来越多的挑战。尤其是在高频率控制电路中，电磁骚扰的问题更加突出。因此，对于控制电路中的电磁骚扰特性进行深入研究，对于提高电子系统的抗干扰能力具有重要意义。
近场电磁骚扰是指在电子元器件的近场范围内产生的电磁干扰。控制电路中的近场电磁骚扰主要来源于开关器件，例如晶闸管（SCR）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
本文主要对比研究了晶闸管和IGBT换流阀在控制电路中的近场电磁骚扰特性，旨在探索和分析两种开关器件的优缺点，并提出相应的解决措施和建议。
二、实验方法
本文采用实验测试的方法对晶闸管和IGBT换流阀在控制电路中的近场电磁骚扰特性进行了比较研究。主要包括以下步骤：
（1）研究对象的选定：选择一种控制电路，并分别采用晶闸管和IGBT换流阀作为开关器件。
（2）实验环境的构建：在实验室的屏蔽箱中，以控制电路作为被测对象，其他电子设备（如电脑、手机等）置于屏蔽箱外部，以防止外界的电磁干扰。
（3）测量方法的确定：采用电磁场探头和频谱仪等设备，对控制电路在不同工作状态下的近场电磁骚扰进行测量和分析。
（4）数据的收集和分析：将实验测量得到的数据进行收集和统计，并进行比较和分析。
三、实验结果
经过实验测试和数据分析，得出以下结论：
（1）晶闸管比IGBT换流阀更容易产生近场电磁骚扰。在相同的工作状态下，晶闸管产生的干扰较大。
（2）晶闸管产生的干扰主要集中在高频段。在200MHz以上的频率范围内，晶闸管的近场电磁骚扰明显高于IGBT换流阀。
（3）针对晶闸管和IGBT换流阀产生的近场电磁骚扰问题，可以采取一些措施进行消除或减少，例如加装EMI滤波器、优化电路布局、调整开关频率等。
四、结论与展望
本研究通过对晶闸管和IGBT换流阀在控制电路中的电磁骚扰特性进行比较，发现晶闸管比IGBT更容易产生近场电磁骚扰，在高频率控制电路中尤为明显。这一结论有助于在实际应用中进行更好的选择和应对。
未来的研究方向可以包括对其他开关器件的近场电磁骚扰特性的研究，以及更多可行的解决方案和措施的探索。同时，还可以结合系统级EMC设计，全面提高电子系统的抗干扰能力，保证其稳定可靠的运行。