硫化镉及其铜掺杂薄膜的制备与性质研究.docx
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硫化镉及其铜掺杂薄膜的制备与性质研究摘要:本文主要研究了硫化镉及其铜掺杂薄膜的制备与性质。通过溶剂离解法制备出不同掺杂量的CdS和Cu-dopedCdS薄膜,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外可见光谱等手段对样品进行表征和分析。研究结果表明,Cu掺杂显著改善了CdS薄膜的光电性能,同时对其微观结构和表面形貌造成了一定影响。关键词:硫化镉;铜掺杂;薄膜;制备;性质引言:硫化镉是一种常用的半导体材料,具有优异的光电性能,在光电子器件中得到了广泛应用。但是,单纯的CdS薄膜在实际应用中仍存在一些问题,如迁移
高温PLD制备Al掺杂ZnO薄膜及其性质研究.docx
高温PLD制备Al掺杂ZnO薄膜及其性质研究摘要本文采用高温脉冲激光沉积(PLD)技术,制备了Al掺杂ZnO薄膜,并通过X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、场发射扫描电子显微镜等技术对其微观结构、光学性能和场发射性能进行了分析。实验结果表明,Al掺杂ZnO薄膜为多晶结构,掺杂浓度越高,晶体结构明显改变,晶粒尺寸也随之减小;同时,随着掺杂浓度的增加,样品的光吸收边界红移,出现了明显的吸收峰,显示出良好的光学性能;另外,Al掺杂ZnO薄膜的场发射性能也有所提升,达到了较好的场发射效果。关键词:高温PLD;Al掺杂
硫化镉纳米线与单层硫化钼薄膜制备与器件研究.docx
硫化镉纳米线与单层硫化钼薄膜制备与器件研究随着纳米技术的发展,纳米材料的制备与研究也逐渐引起人们的关注。硫化镉纳米线和单层硫化钼薄膜是纳米材料中较为重要的一类,因其优异的物性,被广泛应用于光电器件、电化学储能、催化反应等领域。本文将对硫化镉纳米线和单层硫化钼薄膜的制备方法、物性及其在器件方面的应用进行综述。一、硫化镉纳米线的制备与物性硫化镉纳米线是利用化学还原、溶液法、气相合成等方法制备的一种纳米材料。其中,以溶液法为代表的制备方法具有较高的可控性和重复性,因此在研究中得到广泛应用。以氢氧化镉和硫脲为原材
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二步法硫化镉薄膜的制备及性能研究.docx
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