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热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED性能的影响
摘要
本文研究了热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED性能的影响。研究发现，热冲击会对LED器件的发光强度、电性能以及稳定性产生影响。通过对热冲击前后的LED器件进行测试，可以发现其电流电压特性曲线有所变化，同时发光强度也有所下降。因此，在使用Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED时，应注意热冲击对器件性能的影响。
关键词：热冲击；Si基板；InGaNGaN多量子阱；蓝光LED
引言
蓝光LED由于其高效、长寿命、小体积等优点，在照明、显示等领域得到了广泛的应用。而Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED，由于具有更好的强度和热稳定性，成为了当前研究的热点之一。但是，在实际应用中，由于环境温度的波动，以及器件运行所产生的热量，会对蓝光LED的性能产生影响。其中，热冲击是蓝光LED器件性能受到影响的重要因素之一。因此，本文对热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED性能的影响进行了研究。
实验方法
在本实验中，我们制作了多个Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED器件。其中，一组器件（样品组）在室温下储存，另一组器件（热冲击组）则需要经历高温冲击后再进行测试。具体实验方法如下：
首先，将样品组和热冲击组中的Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED器件分别在室温下存储24小时。
然后，将热冲击组的LED器件放入200℃的高温炉中，加热1小时，随后迅速冷却至室温。
将样品组和热冲击组的LED器件进行电性能测试，包括温度分布、电流电压特性以及发光强度测试。
结果与讨论
电流电压特性比较
对比样品组和热冲击组的电流电压特性曲线，可以发现两组曲线有所差异。如图1所示，样品组的电流电压特性曲线呈现出典型的正常特性。而热冲击组的电流电压特性曲线则发生了一定的变化，在整个电流区间内的导通电压明显下降，也就是说，在相同电流下，所需的电压更低。这表明发生了热冲击后，Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED器件性能有所下降。
发光强度比较
通过发光强度测试，可以更直观的观察到热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED器件性能的影响。如图2所示，样品组和热冲击组的发光强度曲线呈现出差异。在相同电流下，热冲击组的发光强度比样品组低了很多。这是因为在高温下，LED器件内部的结构发生了变化，使得其发光能力下降。
图1电流电压特性曲线比较
图2发光强度曲线比较
温度分布比较
在实验过程中我们还进行了温度分布测试，图3显示了样品组和热冲击组电极区域的温度分布情况。从图中可以明显看出，相比于样品组，热冲击组温度分布不均匀，局部温度较高。这说明高温冲击后，LED器件的热稳定性有所下降。
图3电极区域温度分布比较
结论
综上所述，热冲击会对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED器件的发光强度、电性能以及稳定性产生影响。通过对热冲击前后的LED器件进行测试，可以发现其电流电压特性曲线有所变化，同时发光强度也有所下降。因此，在使用Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED时，应注意热冲击对器件性能的影响。为了提高LED器件的稳定性，可以通过优化材料、改进器件结构等途径来减轻热冲击带来的影响。
参考文献
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