基于CMOS工艺的高维持电压SCR静电防护器件设计的任务书.docx
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基于CMOS工艺的高维持电压SCR静电防护器件设计的任务书.docx
基于CMOS工艺的高维持电压SCR静电防护器件设计的任务书任务书一、任务背景随着集成电路的不断发展和应用,集成电路所承担的功能越来越多,同时也面临着更多的电磁干扰和静电损伤的威胁。其中,静电放电(ElectrostaticDischarge,简称ESD)在现代集成电路技术中是一个难以忽视的问题,它能够直接损伤或间接导致芯片损坏,从而影响产品的可靠性和性能。因此,在集成电路设计和制造过程中,静电防护问题也逐渐变得越来越重要。为了解决这个问题,静电防护器件应运而生。其中,高维持电压SCR静电防护器件是一种常见
基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件研究的任务书.docx
基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件研究的任务书任务书一、项目背景随着电子器件迈向深亚微米时代,集成度和功能的不断提高,电路元件尺寸越来越小,电路板的电压、电流越来越高,人体静电放电所产生的电压也越来越高。当人体静电放电的电压大于电路元件极限电压时,静电放电就会对电路元件产生损害,甚至导致元件失效。因此,研究和设计静电防护器件,以保护深亚微米CMOS电路元件不受静电放电的损害,是非常重要和迫切需要的。二、项目概述本项目拟研究和设计基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件,在不同层数、不同工作温度下,对静电
基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件研究.docx
基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件研究摘要:静电问题是微电子器件可靠性研究中的重要问题之一,特别是在深亚微米CMOS工艺下,静电放电问题越来越突出。因此,本文基于深亚微米CMOS工艺的静电防护器件研究,综述了静电防护技术的发展历程、静电放电的机理、静电放电损伤及其印刷电路板和集成电路的静电防护方法,探讨了深亚微米CMOS工艺下电路中静电放电的问题,分析了常用的静电防护方法及其优缺点,介绍了静电防护器件的类型、设计及其在深亚微米CMOS工艺中的应用。关键词:静电放电;静电防护;深亚微米CMOS工艺;静电
低触发电压高维持电压单向可控硅静电防护器件及方法.pdf
本发明公开了一种低触发电压高维持电压的单向可控硅静电防护器件,利用了在阳极N阱的左侧增添PW/P+结构P+,并阳极相连;在阴极P阱的右侧增添一个NW/P+结构,P+注入与阳极N阱内的新嵌入的N+结构短接,并利用GGNMOS结构完成触发过程,在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了两条ESD电流泄放路径,可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应;本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流低触发电压的特点,可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
高电压静电器件.pdf
本公开涉及高电压静电器件。本公开涉及半导体结构,更具体地涉及高电压静电放电器件的改进的导通电压及制造方法。该结构包括高电压NPN,该高电压NPN具有位于基极区处的隔离结构上的多晶硅材料,多晶硅材料延伸到双极结型晶体管BJT的集电极和发射极中的至少一者,并且多晶硅材料完全覆盖BJT的基极区。