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基于p--GaN处理工艺的GaN基增强型HEMT研究的任务书
任务书：
一、研究背景
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种新型的半导体器件，具有高频特性优异、功率密度高、工作温度范围广等优势，在军事、通信、雷达、卫星通信等领域有较大的应用前景。然而，GaN材料表面的氧化物和氮化物管理常常成为一个制约HMTT器件电性能的重要问题。解决这个问题的关键之一是对GaN表面进行有效的处理。
p--GaN处理工艺是一种有效的GaN表面处理方法，可以帮助提高GaN材料的电性能，特别是可靠性和稳定性。尽管研究人员已经对p--GaN处理物理机理进行了研究，并且已经证明这是一种有效的方法来提高GaN材料的电性能，但是仍然需要更深入的研究来完全理解其作用原理。
因此，本研究旨在探究基于p--GaN处理工艺的GaN基增强型HEMT的关键物性能及其影响因素，并研究在不同条件下的最佳p--GaN处理工艺参数，以进一步提高器件的性能及其应用领域。
二、研究目的
本研究的基本目的是深入了解基于p--GaN处理工艺的GaN基增强型HEMT的物理性质和电性能，并研究其影响因素，以及在不同条件下的最佳工艺参数。
具体目标：
1、分析增强型HEMT的电子输运机制及其物性特性。
2、研究p--GaN处理对HEMT的影响。
3、研究HEMT器件工艺参数对器件性能的影响。
4、分析HEMT器件的应用特性，以寻找最佳应用场景。
三、研究内容和方法
1、基本内容：
（1）复习增强型HEMT的电子输运机制及其物性特性，并概述已有的研究进展。
（2）研究p--GaN处理对HEMT的影响，探究其物理机理，包括表面电导和化学性质的变化。
（3）探究HEMT器件的工艺参数对器件性能的影响，包括接触电阻、漏电流及电容等物理性质。
（4）分析HEMT器件的应用特性，包括功率输出、噪声系数、稳定性等方面的指标。
2、研究方法：
（1）首先，对增强型HEMT的电子输运机制进行分析，探究其物性特性。
（2）通过文献研究和实验分析，确定p--GaN处理对HEMT的影响机理。
（3）通过实验方法，探究HEMT器件工艺参数对器件性能的影响。
（4）通过理论分析和实验检测手段，分析HEMT器件的应用特性，以寻找最佳应用场景。
四、研究意义
本研究可以进一步探究p--GaN处理工艺对GaN材料表面的影响和机理，研究与薄膜制备相关的问题。同时，还可以深入了解HEMT器件的物性和电性能，发展出更高性能和可靠性的HEMT器件。
此研究对于推动半导体器件的发展，为通信、雷达、卫星通信等领域带来更可靠性能的高频器件将具有重要意义，同时也为学术研究和技术发展提供重要的理论指导和实践参考。