Si基p--GaN栅增强型GaN HEMT器件研究的任务书.docx

Si基p--GaN栅增强型GaNHEMT器件研究的任务书
任务书
任务名称：Si基p--GaN栅增强型GaNHEMT器件研究
任务负责人：XXX
任务执行人：XXX
任务起止时间：XXXX年X月XX日至XXXX年X月XX日
任务背景和意义：
GaN材料具有高能障、高饱和漂移速度和高电子迁移率等优越的性能，广泛用于高功率射频和微波领域的器件中。尤其对于5G通信的要求，要求器件频率高、功率大、效率高，GaN器件成为该领域的研究热点。现有的GaNHEMT器件在工作频率和功率密度上已经有了非常突出的表现，但还面临一些问题，例如打通电压高、线性能力差、稳定性不足等，限制了其进一步的发展。其中，打通电压的问题是较为突出的，影响了整个器件的性能。因此，研究如何提高打通电压，成为GaNHEMT研究的重点和难点之一。
p--GaN栅增强型GaNHEMT是一种可实现低打通电压，同时保持高性能的方案。该器件采用p--GaN栅极设计，可以提高打通电压，增强线性性能，同时保持高频率、高功率的特性。因此，研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件，对于解决GaNHEMT器件的打通电压问题，具有非常重要的意义。
任务目标：
本任务的研究目标为：
1.研究Si基p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的工艺流程，包括材料生长、器件制备等过程，并优化工艺参数，实现高质量器件的制备。
2.系统研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的特性，包括电学特性、热学特性、噪声等方面，并对其进行评估和优化。
3.研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的打通电压与线性特性之间的关系，探究如何在提高打通电压的同时保持优秀的线性特性。
4.分析p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的应用前景，探索其在高频率、高功率领域的应用价值。
任务内容：
1.材料生长和器件制备：
（1）采用金属有机气相沉积（MOCVD）技术在Si衬底上生长p--GaN材料，优化生长条件，实现高质量和均一性；
（2）使用光刻、电子束曝光和蚀刻等工艺步骤，制备p--GaN栅增强型GaNHEMT器件；
（3）研究制备过程中的关键工艺参数对器件性能的影响，进行优化。
2.特性测试和评估：
（1）采用半自动的测试平台对制备好的器件进行测试，包括I-V特性、S参数、功率特性等；
（2）对测试过程中的数据进行分析，评估器件性能，并提出改进意见；
（3）通过对p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的热学特性、噪声等进行测试和评估，探究其在高功率领域的应用可能性。
3.打通电压和线性特性的研究：
（1）通过器件测试和模拟，探究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的打通电压与线性特性之间的关系；
（2）研究栅电压对器件性能的影响，探究如何在提高打通电压的同时保持良好的线性特性；
（3）评估并提出优化意见。
4.应用前景与展望：
（1）分析p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的应用前景，探索其在高频率、高功率领域的应用价值；
（2）研究并分析该器件与其他高功率微波器件的性能优劣，提出该器件在实际应用中的推广和改进意见。
任务组成和工作分配：
任务组成
任务执行人
组长
负责整个任务的执行，主要进行任务的计划、组织和协调，负责任务的进度控制和结果汇报等工作。
XXX
材料生长和器件制备
负责p--GaN材料的生长和制备p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的相关工作，包括优化工艺流程、制备优质器件等。
XXX
特性测试和评估
负责对器件进行各项特性测试和评估，包括I-V特性、S参数、功率特性、热学特性、噪声等方面的测试和评估。
XXX
打通电压和线性特性的研究
负责研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的打通电压与线性特性之间的关系，提出具体的优化意见。
XXX
应用前景与展望
负责对p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的应用前景和展望进行分析和研究，提出具体的建议和意见。
XXX
任务时间节点和进度计划：
本任务的起止时间为XXXX年X月XX日至XXXX年X月XX日。任务具体进度如下表所示：
序号
任务内容
工作计划
进度
责任人
1
材料生长和器件制备
两个月
完成
XXX
2
特性测试和评估
三个月
完成
XXX
3
打通电压和线性特性的研究
两个月
完成
XXX
4
应用前景与展望
一个月
完成
XXX
5
数据整理和任务报告
两个月
完成
XXX
任务结果：
1.成功制备Si基p--GaN栅增强型GaNHEMT器件，优化器件性能；
2.系统研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的特性，包括电学特性、热学特性、噪声等方面，并对其进行评估和优化；
3.研究p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的打通电压与线性特性之间的关系，提出具体的优化意见；
4.分析p--GaN栅增强型GaNHEMT器件的应用前景，探