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Si基GaN异质结构无金欧姆接触研究的任务书
任务书：
一、题目
Si基GaN异质结构无机欧姆接触研究
二、研究背景
GaN的宽带隙、高饱和漂移速度和高热稳定性使其成为近年来颇受关注的材料，被广泛应用于高频、高功率和光电器件领域。研究表明，Si基GaN异质结构是一种有望实现低电阻无金属接触的新型器件结构。然而，Si基GaN异质结构的无金属接触电阻仍然是一个挑战，其解决成为该领域的研究热点。
三、研究目的
研究Si基GaN异质结构无金属欧姆接触的制备和性能，系统地研究了界面条件对Si/GaN结构的质量和电学性质的影响，探索了各种制备工艺和技术优化措施，提高无金属接触的电学性能和稳定性，为实现低电阻无金属接触提供一种新型方案。
四、研究内容和任务
1.制备Si基GaN异质结构的无金属接触电极；
2.实验测定Si基GaN异质结构无金属欧姆接触电性能，包括接触电阻、接触电流和退火温度等；
3.系统地研究界面形态和化学成分的影响，考察各种制备工艺和技术优化措施的影响；
4.探究退火工艺和退火温度对无金属欧姆接触电学性能的影响；
5.分析实验结果和数据，寻找优化无金属欧姆接触电学性能的途径。
五、研究方法和技术路线
1.采用电子束蒸发和磁控溅射技术制备无金属接触电极；
2.电学测试仪器系统测量接触电阻、接触电流和退火温度等电学性能；
3.原子力显微镜、扫描电子显微镜和能谱分析仪等表征手段对接触界面形态和化学成分进行分析；
4.对实验结果进行数据分析和统计，系统总结研究成果，并寻找无金属欧姆接触的优化途径。
六、计划进度
本研究计划用时1年，详细进度如下：
第一季度：研究文献整理和理论研究；
第二季度：采用电子束蒸发和磁控溅射技术制备无金属接触电极；
第三季度：实验测定Si基GaN异质结构无金属欧姆接触电性能；
第四季度：系统地研究界面形态和化学成分的影响；
第五季度：探究退火工艺和退火温度对无金属欧姆接触电学性能的影响；
第六季度：分析实验结果和数据，寻找优化无金属欧姆接触电学性能的途径；
第七季度：撰写研究论文并进行专业技术交流；
七、预期研究成果
1.成功制备Si基GaN异质结构的无金属接触电极；
2.获得Si基GaN异质结构无金属欧姆接触电学性能数据；
3.系统研究无金属欧姆接触的界面形态和化学成分；
4.探究退火工艺和退火温度对无金属欧姆接触电学性能的影响；
5.寻找优化无金属欧姆接触性能的途径，提高接触的电学性能和稳定性；
6.发表研究论文，参加相关学术会议和交流活动。
八、参考文献
1.李健若，张立江，吴晓东.碳化硅基氧化铝块雷达功率晶体管的研究进展[J].阜阳师范学院学报，2018，4（1）：1-7。
2.李明，杨超，韩聪聪，等.氮化镓及其异质结构材料和光电器件的研究进展[J].光电子?激光，2019，30（12）：1168-1181。
3.O.D.Dubrovskii,N.B.Smirnov,A.N.Vasil'ev,etal.Self-aggregatedSiCnanodotsgrownonSi(111)byannealinginanacetyleneatmosphere:influenceofpost-annealingcooling[J].JournalofCrystalGrowth,2008,310(17):4004-4008.
4.A.Vertikov,N.Efremov,S.Ovcharov,etal.GaN-basedtwo-dimensionalelectrongasandtuningforkresonatorsforultra-sensitivemasssensingapplications[J].SensorsandActuatorsA:Physical,2019,295:182-188.