GaN基增强型MIS--HEMT器件研制及其机理研究的任务书.docx

GaN基增强型MIS--HEMT器件研制及其机理研究的任务书
任务书
题目：GaN基增强型MIS-HEMT器件研制及其机理研究
任务背景：
氮化镓（GaN）因其优异的物理性质，在高电子流速度、高功率、高频等方面具有广泛的应用前景，尤其是在微波通讯、雷达、卫星通信、军事电子等领域的应用越来越广泛。而深入理解GaN材料的物理机制，并对其性能进行优化，是实现这些应用的重要前提。其中，GaN基增强型MIS-HEMT器件作为一种新型半导体器件，在功率和速度性能上具有优势。因此，研究GaN基增强型MIS-HEMT器件的性能和机理，对推动GaN材料在高功率、高频电子应用领域的发展具有重要意义。
任务目标：
本项目旨在研制GaN基增强型MIS-HEMT器件，并深入探究该器件的物理机制，主要包括以下目标：
1.研究GaN材料的制备工艺，确定制备优质GaN材料的方法。
2.设计合理的增强型MIS-HEMT器件结构，并制备样品。
3.对样品进行电学性能测试，研究其性能特征，确定最佳工作模式。
4.尝试运用电学、光学、表面形貌、杂质分布等多种手段，深入探究GaN基增强型MIS-HEMT器件的物理机制。
任务内容：
1.制备优质GaN材料：选取合适的GaN衬底和生长条件，通过化学气相沉积（MOCVD）等方法制备高质量的GaN材料。
2.设计增强型MIS-HEMT器件结构：根据GaN材料的特性，确定器件的材料结构和制备工艺。
3.制备MIS-HEMT器件样品：根据设计，利用所选的工艺条件，制备出MIS-HEMT器件的样品，并进行相关材料表征。
4.测试MIS-HEMT器件性能：利用测试平台进行电学性能测试，包括DC电学测量、S参数测量、噪声系数等方面的测试。
5.研究器件的物理机制：通过多种手段，如原子力显微镜、光谱学、物理取向分析等研究方法，深入探究GaN基增强型MIS-HEMT器件的物理机制。
任务要求：
1.本项目需要有一定的物理和材料学基础，熟悉半导体器件的制备和测试技术，熟悉扫描电子显微镜、透射电子显微镜、光学显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪、原子力显微镜等测试方法。
2.具备学术研究的独立及团队合作能力，具备科学研究的严谨性和精神，能够按照任务书的要求，按时保质完成任务，并撰写完成的报告。
3.任务周期为两年，需按照计划书的要求，按时完成各项任务。
成果要求：
1.完成GaN基增强型MIS-HEMT器件的设计和制备，提高其性能；
2.深入探究GaN基增强型MIS-HEMT器件的物理机制，发现其应用价值。
3.撰写研究报告，并发表相关学术论文。
预算及经费：
本项目预算为100万人民币，经费支配由主持人负责。包括样品制备、器件测试、材料分析、文献阅读等各项费用。具体经费支配情况需根据实际情况确定。
任务执行：
本项目由任命的主持人、课题组成员和协作单位共同完成。
主持人：对整个项目工作全面负责，保证任务进度、成果合格、项目预算合理。负责项目的申报、经费管理及财务报销等任务。
课题组成员：参与项目设计、实验数据采集和处理等任务。
协作单位：协助课题组完成相关材料测试或其他工作。