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标准CMOS工艺硅基LED器件设计及实验分析的任务书
任务背景：
随着科技的发展，LED（发光二极管）已成为一种广泛使用的照明器件，其高效节能、长寿命、环保等特点备受青睐。而针对CMOS工艺硅基LED器件的研究和设计，更是在这个领域中备受关注。CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺作为IC（集成电路）的主要工艺之一，其制备成本低、可集成度高等优点，使得基于CMOS工艺制备的硅基LED器件受到研究者们的关注。
任务目的：
本次任务旨在探究标准CMOS工艺硅基LED器件的设计，了解其结构、原理、性能及优缺点，并针对实验分析进行探讨。
任务内容：
1、介绍标准CMOS工艺硅基LED器件的结构和工作原理，并对其优缺点进行分析。
2、探讨硅基LED器件的主要性能指标，如亮度、发光功率、工作电流、发光效率等，并分析影响这些指标的因素。
3、分别选取标准CMOS工艺制造的LED器件和传统的外延生长LED器件进行实验比较分析，包括器件的电学特性、光电特性、发光效率等方面。
4、对实验结果进行分析和总结，提出改进方案和未来发展方向。
任务要求：
1、利用文献资料，深入了解硅基LED器件的结构、原理、性能指标等相关知识。
2、对硅基LED器件的制造工艺、工艺流程进行深入探讨。
3、选取合适的实验方法和实验参数，对标准CMOS工艺硅基LED器件进行实验比较分析。
4、撰写任务报告，结合实验结果进行分析和总结，提出改进方案和未来发展方向。
5、深入思考硅基LED器件的应用前景和研究方向。
参考文献：
1.ZhangMY,ShiBL,MengXF,etal.Fabricationoflow-resistancep-typeSiC/n-typeSiheterojunctiondiodebyCMOStechnology[J].MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,2016,56:159-163.
2.WuTC,ChenYC,LiuCH,etal.FabricationofSiliconLight-EmittingDiodesUsingCMOS-CompatibleProcess[J].JournalofDispersionScienceandTechnology,2018,40(7):1008-1014.
3.KimSM,HwangIT,KangIG,etal.Fabricationandcharacteristicsofultravioletlight-emittingdiodesbyCMOS-compatibleprocess[J].JournalofVacuumScience&TechnologyB,2010,28(6):C6LK56.
4.LeeSJ,LeeCH,LeeJS,etal.Fabricationofsilicon-basedlight-emittingdiodesusingstandardCMOSprocessforoptoelectronicintegratedcircuits[J].JournaloftheKoreanPhysicalSociety,2007,50(3):823-827.