全耗尽SOI MOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究的开题报告.docx

全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究的开题报告
一、题目
全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型的研究
二、背景
自20世纪90年代以来，SOIMOSFET（Silicon-on-InsulatorMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）器件得到了广泛研究和应用。相比于传统CMOS器件，SOIMOSFET具有更好的耐辐射性能、抗噪声干扰能力、低功耗和高速度等优点。在现代微电子器件中，SOIMOSFET已经成为重要的研究和开发方向。
然而，随着微电子器件的尺寸逐渐缩小，器件工作在亚阈值区域的情况越来越普遍。在这种情况下，SOIMOSFET的特性表现出非常不同的特点，如阈值电压下降、体效应系数减小、电流饱和完全不存在等，因此需要建立新的模型来描述其特性。
三、研究内容
本课题将研究全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的特性，并开发二维半解析模型。具体研究内容包括：
1.研究全耗尽SOIMOSFET在亚阈值区的特性变化规律，如漏电流、阈值电压、体效应系数等；
2.建立SOIMOSFET亚阈值区的二维半解析模型，考虑亚阈值区不同特点的影响因素；
3.通过数值分析和实验验证，验证所建立的模型的准确性和可用性。
四、研究意义
本课题研究全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的特点，可以更深入地了解SOIMOSFET器件在极端工作状态下的性能表现。同时，所建立的二维半解析模型可以用于SOIMOSFET器件设计和工艺优化，有助于提高器件的性能和可靠性。最终，本课题的研究成果对提高SOIMOSFET在集成电路领域的应用具有一定的指导作用。
五、研究方法
针对研究内容，本课题将采用以下方法：
1.理论计算：利用物理模型和理论分析，推导SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型；
2.数值模拟：对所建立的模型进行数值模拟，研究其在不同的结构参数和工作状态下的特性表现；
3.实验验证：通过实验验证所建立的模型的准确性和可用性，同时获取更准确的器件特性数据。
六、预期结果
本课题的预期结果包括：
1.建立全耗尽SOIMOSFET亚阈值区的二维半解析模型，用于描述其特性表现；
2.深入研究SOIMOSFET器件在亚阈值区的特性变化规律；
3.验证所建立的模型的准确性和可用性，为SOIMOSFET器件的设计和工艺优化提供理论支持。
七、结论
本课题将研究全耗尽SOIMOSFET亚阈值区二维半解析模型，建立了亚阈值区的特性变化规律，并通过数值分析和实验验证验证所建立的模型的准确性和可用性。最终，本课题的研究成果有望为SOIMOSFET在集成电路领域的应用提供理论支持和指导作用。